[发明专利]窗膜及窗膜的制作方法有效
| 申请号: | 201410842519.4 | 申请日: | 2014-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN104708870A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
| 发明(设计)人: | 于甄;高建聪;解金库 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号: | B32B15/085 | 分类号: | B32B15/085;B32B37/00 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
| 地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制作方法 | ||
1.一种窗膜,其特征在于,所述窗膜至少包括:
双稳态液晶层(30);
两个导电层(20),所述两个导电层(20)分别设置于双稳态液晶层(30)相对的上下两侧,且所述导电层(20)内含有VO2;
两个基膜(10),分别设置于所述两个导电层(20)外侧。
2.根据权利要求1所述的窗膜,其特征在于,所述双稳态液晶层(30)为包括胆甾相液晶、光学胶、透明纳米粒子的混合物。
3.根据权利要求1所述的窗膜,其特征在于,所述导电层(20)包括金属层(201),设置于所述金属层(201)的两个侧面上的种子层(202),以及设置于所述金属层(201)的两侧的所述种子层(202)上的掺杂VO2膜层(203)。
4.根据权利要求3所述的窗膜,其特征在于,所述掺杂VO2膜层(203)中的掺杂元素为W、Mo、Er、Nb、Ce和Mg中任一种或多种。
5.根据权利要求4所述窗膜,其特征在于,所述掺杂VO2膜层(203)中的掺杂元素的掺杂百分比为1%~10%。
6.根据权利要求3所述的窗膜,其特征在于,所述掺杂VO2膜层(203)的总厚度为120~150nm。
7.根据权利要求3所述的窗膜,其特征在于,所述金属层(201)的材料为Ag、Au、Rh或Pt,所述种子层(202)的材料为锌或钛。
8.根据权利要求3所述的窗膜,其特征在于,所述金属层(201)的厚度为1~20nm;位于所述金属层(201)的一侧的所述种子层(202)的厚度为1~20nm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的窗膜,其特征在于,所述导电层(20)的方块电阻小于100Ω/□。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的窗膜,其特征在于,所述基膜(10)的材料为PET膜。
11.一种窗膜的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括在基膜上形成包括VO2的导电层的步骤,以及在所述导电层上形成双稳态液晶层的步骤。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,形成所述导电层的步骤包括:在金属层的两个侧面上形成种子层,以及在所述金属层的两侧的所述种子层上形成掺杂VO2膜层。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,
所述导电层包括位于所述双稳态液晶层的一个侧面上的第一导电层和位于所述双稳态液晶层的另一个侧面上的第二导电层,所述基膜包括位于所述第一导电层上的第一基膜和位于所述第二导电层上的第二基膜;
所述制作方法包括在所述第一基膜上依次形成所述第一导电层和所述双稳态液晶层以获得第一基层,在所述第二基膜上形成第二导电层以获得第二基层,以及通过连接所述双稳态液晶层和所述第二导电层以使所述第一基层和所述第二基层复合的步骤。
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