[发明专利]无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构及其控制方法

权利要求书

1.一种无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、漂浮有源区，其特征在于，还包括第一P型离子区、第二P型离子区、N型离子区；

所述第一P型离子区和N型离子区位于所述电荷传输晶体管的沟道区，两者相互接触，并且所述第一P型离子区在靠近所述光电二极管的一侧与光电二极管上部的Pin型P+层接触，所述N型离子区在靠近所述漂浮有源区的一侧与漂浮有源区的N+区接触；

所述第二P型离子区位于所述N型离子区和漂浮有源区的底部；

所述光电二极管在电荷传输晶体管沟道处的边界为所述第一P型离子区与所述N型离子区的接触处。

2.根据权利要求1所述的无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述第一P型离子区在所述电荷传输晶体管沟道中的长度大于等于0.2um，深度小于等于0.15um。

3.根据权利要求2所述的无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述N型离子区在所述电荷传输晶体管沟道中的长度大于等于0.2um，深度小于等于0.2um。

4.根据权利要求3所述的无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述第二P型离子区的深度为0.2um～1um。

5.根据权利要求4所述的无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述第一P型离子区的P型离子浓度小于等于5E17atom/cm³，所述N型离子区的N型离子浓度小于等于8E17atom/cm³，所述第二P型离子区的P型离子浓度小于等于1E18atom/cm³。

6.根据权利要求5所述的无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，其特征在于，所述P型离子为磷离子或砷离子，所述N型离子为硼离子。

7.一种权利要求1至6任一项所述的无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构的控制方法，其特征在于，所述电荷传输晶体管在曝光周期中，其栅极置为负电势，电势小于等于-1V；在转移光电电荷时，其栅极置为电源电压。