[发明专利]气体绝缘变电站GIS 内置传感器的布置方法及装置在审

专利信息
申请号: 201410836324.9 申请日: 2014-12-26
公开(公告)号: CN104569755A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 段大鹏;王立永;曹佳楣;王维;马婧珺;任志刚;周恺;陶诗洋 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网北京市电力公司;国网福建省电力有限公司;国网福建省电力有限公司厦门供电公司
主分类号: G01R31/12 分类号: G01R31/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 气体 绝缘 变电站 gis 内置 传感器 布置 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及电力领域,具体而言,涉及一种气体绝缘变电站GIS内置传感器的布置方法及装置。

背景技术

特高频(Ultra High Frequency,简称为UHF)法检测的对象是局部放电产生的电磁波信号。但由于受气体绝缘变电站(Gas Insulated Substation,简称为GIS)结构的影响,局部放电激励的电磁波信号在GIS中传播到UHF传感器时信号的波形与幅值等参数发生变化,从而增加了运用检测到的信号对局部放电源信号进行评估的复杂性。因此,研究局部放电电磁波信号在GIS中的传播特性对UHF法具有非常重要的意义。虽然近年来国内外学者对GIS中电磁波传播特进行了较多的研究,但对电磁波在GIS中的传播路径与在各部件(绝缘子、L型分支等)中的具体衰减变化特性方面却鲜有深入研究。

针对相关技术中受GIS结构与UHF传感器安装位置的限制,难以对GIS的单个部件的衰减特性进行深入试验研究的问题,在相关技术中并未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明提供了一种气体绝缘变电站GIS内置传感器的布置方法及装置,以至少解决现有技术受GIS结构与UHF传感器安装位置的限制,难以对GIS的单个部件的衰减特性进行深入试验研究的问题。

根据本发明的一个方面,提供了一种气体绝缘变电站GIS内置传感器的方法,其特征在于,包括:获取所述GIS仿真模型的GIS结构特征;根据所述GIS结构特征按照预设规则确定在所述GIS仿真模型中内置所述传感器的数量及安装位置,该传感器用于检测局部放电激励的电磁波信号变化。

优选地,所述预设规则包括以下至少之一:所述GIS不同部位的重要程度、发生缺陷的概率。

优选地,所述GIS结构特征包括以下至少之一:直筒型GIS、L型GIS、T型GIS。

优选地,根据所述GIS结构特征按照所述预设规则确定在所述GIS仿真模型中内置所述传感器的数量及安装位置包括:对于所述直筒型GIS,每间隔4-5的绝缘子布置一个所述传感器;在断路器两侧各布置一个所述传感器。

优选地,根据所述GIS结构特征按照所述预设规则确定在所述GIS仿真模型中内置所述传感器的数量及安装位置包括:对于所述L型GIS,每间隔3-4的绝缘子布置一个所述传感器。

优选地,根据所述GIS结构特征按照所述预设规则确定在所述GIS仿真模型中的内置所述传感器的数量及安装位置包括:对于所述T型GIS,每间隔3-4个绝缘子布置一个所述传感器和/或在所述T型GIS拐弯处布置一个所述传感器。

根据本发明的另一个方面,还提供了一种气体绝缘变电站GIS内置传感器的装置,包括:获取模块,用于获取所述GIS仿真模型的GIS结构特征;确定模块,根据所述GIS结构特征按照预设规则确定在所述GIS仿真模型中内置所述传感器的数量及安装位置,该传感器用于检测局部放电激励的电磁波信号变化。

优选地,所述确定模块用于按照以下至少之一预设规则确定所述数量及安装位置:所述GIS不同部位的重要程度、发生缺陷的概率。

优选地,获取模块用于获取的所述GIS结构特征包括以下至少之一:直筒型GIS、L型GIS、T型GIS。

通过本发明,采用获取GIS仿真模型的GIS结构特征,根据GIS结构特征按照预设规则确定在GIS仿真模型中内置传感器的数量及安装位置,其中,传感器用于检测局部放电激励的电磁波信号变化。解决了相关技术中受GIS结构与UHF传感器安装位置的限制,难以对GIS的单个部件的衰减特性进行深入试验研究的问题,进而达到了通过优化安装的传感器可以对局部放电激励的电磁波信号进行精确检测的效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:

图1是根据本发明实施例的气体绝缘变电站GIS内置传感器的方法的流程图;

图2是根据本发明实施例的气体绝缘变电站GIS内置传感器的装置的结构框图;

图3是根据本发明实施例的多绝缘子直筒模型图;

图4是根据本发明实施例的多绝缘子直筒模型仿真结果图;

图5是根据本发明实施例的双L分支回路模型图;

图6是根据本发明实施例的双L分支回路模型仿真结果图;

图7是根据本发明实施例的三个L分支回路模型图;

图8是根据本发明实施例的三个L分支回路模型仿真结果图。

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