[发明专利]COA型WOLED结构及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种COA型WOLED结构及制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”。再加上其生产设备投资远小于TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。

为实现OLED显示器的全彩化，一种方式是通过白色有机发光二极管(WOLED，White Organic Light Emitting Diode)和彩色滤光层(CF，Color Filter)叠加来实现。其中，WOLED和CF层叠加过程不需要精准的掩膜工艺，就可以实现OLED显示器的高分辨率。

COA型WOLED是COA(CF on Array，彩色滤光片贴附于阵列基板)技术和WOLED技术的结合。利用COA技术，将CF层(红/绿/蓝光阻)做到阵列基板上，然后OLED白光材料所发射的白光通过红/绿/蓝光阻，得到红/绿/蓝三原色的光。与传统底发光OLED结构相比，这种技术不受有机蒸镀光罩在大尺寸面板制作的限制，因此，在大尺寸OLED方面有着广泛的应用。

图1所示为一种现有COA型WOLED结构的红色子像素区域的结构示意图；其包括基板100、设于所述基板100上的栅极200、设于所述栅极200上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的岛状氧化物半导体层400、设于所述氧化物半导体层400上的岛状蚀刻阻挡层500、设于所述蚀刻阻挡层500上的源/漏极600、设于所述源/漏极600上的钝化保护层700、设于所述钝化保护层700上的红色光阻层710、设于所述钝化保护层700上覆盖所述红色光阻层710的平坦层800、设于所述平坦层800上并经由过孔810与所述源/漏极600相接触的阳极层101、设于所述阳极层101上的像素定义层110、设于所述像素定义层110上的光阻间隔物120。该COA型WOLED结构的绿色子像素区域及蓝色子像素区域的结构与红色子像素区域相同。

上述COA型WOLED的缺点之一是红/绿/蓝三原色的发光效率相对较低。传统顶发射型OLED器件可以通过调节OLED器件的厚度，利用微腔共振效应，使得发光效率得到有效增强。但在上述COA型WOLED中，无法像传统OLED器件一样通过调节器件的厚度，利用微腔效应提高各个光色的发光效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种COA型WOLED结构，其经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色均具有较高的发光效率。

本发明的另一目的在于提供一种COA型WOLED的制作方法，能够提高经过彩色滤光片后的红/绿/蓝三原色的发光效率，提高COA型WOLED器件的亮度。

为实现上述目的，本发明提供一种COA型WOLED结构，包括红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域；

所述红色子像素区域、绿色子像素区域、及蓝色子像素区域分别包括基板、设于所述基板上的栅极、设于所述栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的岛状氧化物半导体层、设于所述氧化物半导体层上的岛状蚀刻阻挡层、设于所述蚀刻阻挡层上的源/漏极、设于所述源/漏极上的钝化保护层、设于所述钝化保护层上的红/绿/蓝色光阻层、设于所述钝化保护层上覆盖所述红/绿/蓝色光阻层的平坦层、设于所述平坦层上并经由过孔与所述源/漏极相接触的半反射层、设于所述半反射层上的阳极层、设于所述阳极层上的像素定义层、设于所述像素定义层上的光阻间隔物、设于所述阳极层与像素定义层上的白光发光层、设于所述白光发光层上的阴极层、及设于所述阴极层上的封装盖板；

所述红色子像素区域的阳极层的厚度大于所述绿色子像素区域的阳极层的厚度，所述绿色子像素区域的阳极层的厚度大于所述蓝色子像素区域的阳极层的厚度。

所述半反射层的材料为银或铜或二者的合金，所述阴极层的材料为铝。

所述半反射层的厚度为1～100nm。

所述红色子像素区域的阳极层的厚度为20～300nm，所述绿色子像素区域的阳极层的厚度为20～250nm，所述蓝色子像素区域的阳极层的厚度为20～200nm。