[发明专利]一种像素结构及其制备方法、像素显示方法和阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及其制备方法、像素显示方法和阵列基板。

背景技术

量子点(Quantum Dot，QD)又可称为纳米晶，是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光，其发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，荧光强度和稳定性都很好，是一种很好的电致发光材料。量子点的种类很多，代表性的有II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe等和III-V族GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。

目前，量子点作为一种显示材料且已经被广泛使用在了显示领域，例如，利用量子点作为发光材料而制造出的发光二极管显示器(Quantum Dot Light Emitting Display，QLED)。现有的QLED显示器采用的结构和有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)相类似，通过TFT通过通断动作控制QLED显示器中QLED显示器件的阴极，以控制QLED显示器件发光或不发光，即控制QLED显示器件闪烁。但是，现有技术的QLED显示器具有如下问题：现有的QLED显示器是通过驱动电流的不断变化控制QLED显示器件的频繁闪烁，因此会导致电荷注入的不平衡(即，注入的电子和空穴数量不平衡)，长时间的重复该过程会导致量子点化学解离(例如氧化/还原)从而发生变性，使得QLED显示器件寿命降低；而且，通过TFT通过通断动作控制QLED显示器中QLED显示器件的阴极实现驱动电流的变化控制QLED显示器件的闪烁的方式，存在电流控制不稳定的问题，需要复杂的补偿电路对电流进行补偿，因此现有技术的QLED显示装置制备难度大。

发明内容

本发明的目的是提供一种像素结构及其制备方法、像素显示方法和阵列基板，以解决现有的QLED显示装置寿命低且制备工艺难度大的问题。

本发明实施例提供一种像素结构，包括：

薄膜晶体管TFT，用于控制微机电系统MEMS开关；

所述微机电系统MEMS开关，用于控制量子点发光二极管QLED器件的出射光的透过量；

所述量子点发光二极管QLED器件为顶发射型，用于根据恒定发光驱动信号进行恒定发光。

本发明实施例中，在像素结构中增加所述MEMS开关，所述TFT控制MEMS开关的工作状态，以控制所述QLED器件的出射光的透过量。

可选地，所述TFT的漏电极与所述MEMS开关电性连接，所述TFT导通后根据自身的源电极接收的信号控制所述MEMS开关。本实施例中，所述MEMS开关的工作状态根据所述TFT的导通/关断状态和所接收的信号进行变换或调整，从而控制所述QLED器件的出射光的透过量。

可选的，所述MEMS开关包括连接部和开关部，所述连接部与所述TFT的漏电极电性连接，所述开关部设置于所述QLED器件的出光方向一侧以控制所述QLED器件的出射光的光量。本实施例中，所述MEMS开关的开关部设置于所述QLED器件的出光方向上，可以根据自身开合的幅度控制透过QLED器件的出射光的光量。

可选的，所述像素结构还包括遮光条，所述遮光条位于所述MEMS开关的靠近所述QLED器件一侧的边缘处的下方。本发明实施例中，所述遮光条可以遮挡所述MEMS开关的漏光，避免显示异常。

可选的，所述像素结构还包括第一导电结构，所述MEMS开关通过所述第一导电结构与所述TFT的漏电极电性连接。

可选的，所述TFT的漏电极与所述MEMS开关的连接部之间设置有绝缘层，所述第一导电结构通过所述绝缘层上的第一过孔与所述TFT的漏电极电性连接。本发明实施例中，所述绝缘层上形成的所述第一过孔，使所述第一导电结构和所述漏电极能够实现电性连接。

可选的，所述遮光条与所述第一导电结构同层设置且彼此绝缘，所述第一导电结构和所述遮光条的材料为金属材料。本发明实施例中，所述遮光条和所述第一导电结构同层设置，在制备时可以节省工序。

本发明实施例有益效果如下：在显示装置工作时，所述TFT控制MEMS开关的工作状态，以控制所述QLED器件的出射光的透过量，避免QLED器件的频繁闪烁，提高所述QLED器件的使用寿命。