[发明专利]包括光吸收层的有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，该显示装置包括：

多个像素，其中多条选通线分别与多条数据线交叉，各个所述像素包括薄膜晶体管TFT区域和显示区域；

TFT，该TFT形成在所述TFT区域中；

发光元件，所述发光元件形成在所述显示区域中，以用于基于来自所述TFT的信号显示图像；

金属层，该金属层被设置在所述TFT区域中以用于所述TFT的电连接；以及

光吸收层，该光吸收层被配置为吸收朝着所述金属层传播的光的至少一部分，

其中，所述光吸收层被设置在所述金属层和基板之间，或者被设置在栅极和基板之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层是所述TFT的源电极和漏电极中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层是设置在所述TFT与所述光吸收层之间的光屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述TFT区域中没有设置偏振层，并且所述光是非偏振光。

5.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括相位补偿层，该相位补偿层被配置为调节朝着所述金属层传播的光的相位并被设置在所述光吸收层上。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光吸收层被设置在所述TFT的栅电极与栅绝缘层之间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，该显示装置还包括相位补偿层，该相位补偿层被配置为调节朝着所述金属层传播的光的相位并被设置在所述光吸收层与所述栅绝缘层之间。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光吸收层包括氧化铜、氧化镍、氧化钼和铜/镍/钼中的两种或更多种。

9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述相位补偿层包括SiN、IGZO和ITO中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层是所述TFT的电连接线或电极。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光吸收层包含复反射率的消光系数为0.4或更大的金属。

12.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述相位补偿层的厚度与所述光的波长成正比，并且与所述光吸收层的折射率成反比。

13.一种制备显示装置的方法，该显示装置包括多个像素，其中多条选通线分别与多条数据线交叉，各个所述像素包括薄膜晶体管TFT区域和显示区域，所述方法包括以下步骤：

在所述薄膜晶体管TFT区域中形成TFT；以及

在所述显示区域中形成用于基于来自所述TFT的信号显示图像的发光元件，

其中，金属层被设置在所述TFT区域中以用于所述TFT的电连接；并且

其中，被配置为吸收朝着所述金属层传播的光的至少一部分的光吸收层被设置在所述金属层和基板之间，或者被设置在栅极和基板之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层是所述TFT的源电极和漏电极中的至少一个。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层是被设置在所述TFT与所述光吸收层之间的光屏蔽层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，被配置为调节所述光的相位的相位补偿层被设置在所述光吸收层上，并且

其中，所述光吸收层被设置在所述TFT的栅电极与栅绝缘层之间。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层和所述光吸收层是利用相同的掩模形成的。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述金属层、所述光吸收层和所述相位补偿层是利用相同的掩模形成的。