[发明专利]一种硅基微环偏振解复用器

权利要求书

1.一种硅基微环偏振解复用器，包括硅衬底(6)和包层(7)，其特征在于，包括输入波导(1)、横磁模输出波导(2)、横电模输出波导(3)、混合等离子体波导(4)和微环(5)；

衬底(6)位于包层(7)内底部，混合等离子体波导(4)和微环(5)位于衬底(6)表面；

所述混合等离子体波导(4)由下向上依次包括介质波导(41)、填充层(42)和金属覆盖层(43)；所述介质波导(41)紧贴衬底(6)；

输入波导(1)通过混合等离子体波导(4)连接横磁模输出波导(2)；横电模输出波导(3)连接另一混合等离子体波导(4)，微环(5)位于两混合等离子体波导(4)之间；

通过微环谐振可使得横电模从下路横电模输出波导(3)输出，其中的谐振波长λ_C，根据相位关系，需要满足以下关系式：

式中L为微环的周长，n_eff为微环的模式有效折射率，m为一正整数。

2.如权利要求1所述的一种硅基微环偏振解复用器，其特征在于，所述介质波导(41)的高度与输入波导(1)、横磁模输出波导(2)、横电模输出波导(3)和微环(5)的高度相同。

3.如权利要求2所述的一种硅基微环偏振解复用器，其特征在于，所述金属覆盖层(43)为与CMOS工艺兼容的材料。

4.如权利要求2所述的一种硅基微环偏振解复用器，其特征在于，所述填充层(42)为折射率小于2的材料。

5.如权利要求2所述的一种硅基微环偏振解复用器，其特征在于，所述横磁模输出波导(2)和横电模输出波导(3)的横向尺寸相同。