[发明专利]一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410810735.0 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104867799B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;宋冠英;段振亚;李伟东;孟阿兰 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C01B31/36 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司37241 | 代理人： | 郝团代 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 la 原位 掺杂 纳米 sic 发射 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备方法，包括以下步骤：
固态聚碳硅烷和固体氯化镧为反应原料，混合研磨30～40min，得到混合反应原料；
将石墨基片于超声波清洗机中清洗烘干后，浸入0.01mol/L的Ni(NO3)3乙醇溶液中，超声震荡5分钟，取出自然晾干，得到浸有催化剂的基片；
将浸有催化剂的基片及混合反应原料，置于石墨反应室内，一起放入真空可控气氛炉内；
将真空可控气氛炉抽真空至50～80Pa，以15℃/min升温速率升温至600～900℃，保温10min，随后以15℃/min的升温速率继续升温至1200～1350℃，保温60～150min；
关闭电源，使真空可控气氛炉自然冷却至室温，可一步实现La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备。
2.根据权利要求1所述的一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备方法，其特征在于：浸有催化剂的石墨基片和混合反应原料在石墨反应室内的放置位置为，聚碳硅烷和氯化镧混合反应原料放在上方，石墨基片放在混合反应原料的下方，并用两层碳布将混合反应原料与石墨基片隔开。
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