[发明专利]半导体生长用模板、基板分离方法及发光元件制造方法

权利要求书

1.一种基板分离方法，包括如下步骤：

在生长基板上形成具有掩膜部及开口部并且包含生长防止层及位于所述生长防止层上的蚀刻层的掩膜图案，所述生长基板包括氮化物基板；

形成从所述开口部的下面生长而部分地覆盖所述掩膜部的上面的种子层；

至少部分地去除所述掩膜图案来形成一个以上的沟槽，以使所述生长防止层至少部分地残留在所述沟槽的下面之上；

形成将所述种子层作为种子而生长的外延层，并且将所述沟槽的至少一部分形成为空洞；

从所述外延层分离所述生长基板，

所述种子层包括填充所述开口部的下部种子层及位于所述下部种子层上且部分地覆盖所述开口部的上面的上部种子层，

还包括如下步骤：在部分地去除所述掩膜图案之后，部分地蚀刻因去除所述掩膜图案而被暴露的所述上部种子层的下表面，

分离所述生长基板的步骤包括如下步骤：对所述生长基板与所述外延层之间施加应力。

2.根据权利要求1所述的基板分离方法，其中，

所述沟槽包括上部沟槽及下部沟槽。

3.根据权利要求1所述的基板分离方法，其中，

所述种子层包括n型GaN，所述上部种子层的下表面具有N面。

4.根据权利要求3所述的基板分离方法，其中，

部分地蚀刻所述上部种子层的下表面的步骤包括如下步骤：利用包含NaOH及KOH中的至少一个的蚀刻溶液来蚀刻所述上部种子层的下表面。

5.根据权利要求4所述的基板分离方法，其中，

被部分地蚀刻的所述上部种子层的下表面具有粗糙的表面。

6.根据权利要求2所述的基板分离方法，其中，

所述外延层伴随着水平生长及垂直生长而从所述上部种子层生长，所述外延层生长为覆盖所述沟槽的上部。

7.根据权利要求6所述的基板分离方法，其中，

所述空洞包括位于该空洞上部的凹坑，

并且，在形成所述外延层的同时，所述上部沟槽的一部分被形成为所述凹坑。

8.根据权利要求1所述的基板分离方法，其中，

至少部分地去除所述掩膜图案的步骤包括如下步骤：去除所述蚀刻层而使所述生长防止层被至少部分地暴露。

9.根据权利要求1所述的基板分离方法，其中，

所述蚀刻层包含SiN₂，所述生长防止层包含SiN_x。

10.根据权利要求9所述的基板分离方法，其中，

至少部分地去除所述掩膜图案的步骤包括如下步骤：利用包含缓冲氧化蚀刻剂的蚀刻溶液来去除所述蚀刻层。

11.根据权利要求2所述的基板分离方法，其中，

所述生长基板从所述下部种子层的下面周围区域被分离。

12.一种发光元件制造方法，所述发光元件制造方法包括权利要求1所述基板分离方法，

所述外延层包括：

第一导电型半导体层；

位于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层；

位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层。

13.根据权利要求12所述的发光元件制造方法，其中，还包括如下步骤：在从所述外延层分离所述生长基板之前，在所述外延层上形成支撑基板。

14.根据权利要求12所述的发光元件制造方法，其中，

从所述生长基板分离而被暴露的所述外延层的下表面包含凹凸图案，

所述凹凸图案具有与所述空洞和种子层的形态对应的形态的轮廓。

15.根据权利要求14所述的发光元件制造方法，其中，还包括如下步骤：

部分地去除所述外延层的下表面而使所述凹凸图案的弯曲变得平缓；

在所述外延层的下表面形成粗糙的表面。