[发明专利]硅基板的分断方法在审
| 申请号： | 201410803206.8 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104952793A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 武田真和;村上健二;木山直哉;田村健太 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基板 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基板的分断方法，
在所述硅基板的一面沿着分断预定线形成槽，
从所述硅基板的未形成所述槽的面起，沿着与所述槽对应的线形成刻划线，
沿着所述刻划线，将断裂杆抵压于所述硅基板的形成着槽的面而使其断裂，由此沿着刻划线进行分断。
2.根据权利要求1所述的硅基板的分断方法，其中所述硅基板的槽是通过照射激光而形成。
3.根据权利要求1所述的硅基板的分断方法，其中所述硅基板的槽具有至少10μm的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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