[发明专利]主动元件阵列基板与显示面板在审
| 申请号: | 201410800522.X | 申请日: | 2014-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN104483790A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
| 发明(设计)人: | 吴尚杰;何昇儒;林弘哲;邱家祥 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主动 元件 阵列 显示 面板 | ||
技术领域
本发明是有关于一种主动元件阵列基板与显示面板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)为目前平面显示器的主流,其可利用液晶分子的介电异方性与导电异方性,于外加电场时使液晶分子排列状态转换,使得液晶薄膜产生各种光电效应。
液晶显示器的显示面板是由两片基板叠合而成,并于两片基板之间灌注液晶。两片基板上可分别形成对应的电极,用以控制液晶分子的转向以及排列。一般而言,液晶显示器的显示面板,可由一片薄膜晶体管阵列基板以及一片彩色滤光片基板组成,并且以间隔物定义两片基板之间的距离,以于两片基板之间灌注液晶。
目前,为了提高液晶显示器的品质,发展出了彩色滤光片于阵列基板(Color filter On Array,COA)的显示面板以及黑色矩阵于阵列基板(Black Matrix On Array or Black Photo Spacer On Array,BOA)的显示面板。其中,BOA结构的显示面板通过将色阻(或者说,彩色滤光片)以及黑色矩阵整合在阵列基板上,可降低两片基板之间对位不准确的情况,进而提高液晶显示器的开口率。因此,BOA结构的显示面板逐渐成为液晶显示器发展的明日之星。
然而,在目前BOA结构的显示面板中,黑色矩阵与色阻之间的交界处可能会产生不必要的透光,故需要在此交界处加入额外设计抵制透光。
发明内容
因此,本发明的一目的是提供一种主动元件阵列基板,以解决上述问题。
根据本发明的一实施方式,主动元件阵列基板包含基板、至少一扫描线、至少一数据线、至少一第一薄膜晶体管、至少一第一像素电极、至少一黑色矩阵、至少一色阻以及至少一第一遮光金属层。扫描线位于基板上。数据线位于基板上,且数据线与扫描线交错设置。第一薄膜晶体管位于基板上,第一薄膜晶体管的栅极电性连接扫描线,且第一薄膜晶体管的源极电性连接数据线。第一像素电极位于基板上,并电性连接第一薄膜晶体管的漏极。黑色矩阵位于基板上,并至少部分覆盖第一薄膜晶体管。色阻位于基板上,且黑色矩阵与色阻之间具有至少一交界处。第一遮光金属层位于基板上,并且不连接于扫描线。第一遮光金属层在基板上的正投影与交界处在基板上的正投影至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中,上述第一遮光金属层与扫描线共同属于同一图案化金属层,并且第一遮光金属层具有浮动电位。
在本发明一或多个实施方式中,上述第一遮光金属层与扫描线之间具有至少一间隙。并且上述主动元件阵列基板还包含第二遮光金属层。此第二遮光金属层在基板上的正投影与间隙在基板上的正投影至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中,上述第二遮光金属层与数据线共同属于同一图案化金属层,且第二遮光金属层具有浮动电位。
在本发明一或多个实施方式中,上述间隙在基板上的正投影与交界处在基板上的正投影至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中,上述第一像素电极在基板上的正投影与第二遮光金属层在基板上的正投影至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中,上述第一像素电极在基板上的正投影与第一遮光金属层在基板上的正投影至少部分重叠。
在本发明一或多个实施方式中,上述主动元件阵列基板还包含储存电容以及储存电容走线。储存电容走线电性连接第一薄膜晶体管的漏极与储存电容的一极,储存电容走线在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影分开。
在本发明一或多个实施方式中,上述主动元件阵列基板还包含储存电容以及储存电容走线。储存电容走线电性连接第一薄膜晶体管的漏极与储存电容的一极,储存电容走线在基板上的正投影与扫描线在基板上的正投影重叠。
在本发明一或多个实施方式中,上述黑色矩阵的材质包含树脂材料。
在本发明一或多个实施方式中,在垂直于上述基板的方向上,扫描线与两相邻的数据线交错的区域定义出像素面积,且黑色矩阵具有黑色矩阵面积,其中黑色矩阵面积占像素面积的比例为约5%至约45%。
在本发明一或多个实施方式中,上述主动元件阵列基板还包含至少一光阻间隔物。光阻间隔物位于基板上,且光阻间隔物的材质与黑色矩阵的材质相同,光阻间隔物的高度较黑色矩阵的高度高。
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