[发明专利]一种IGBT串联均压电路在审

专利信息
申请号: 201410759918.4 申请日: 2014-12-12
公开(公告)号: CN104377943A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 陈功;刘小松;刘国频;颜彪;谢跃飞;李图强;彭国荣 申请(专利权)人: 中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 卢宏
地址: 410014 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 串联 压电
【权利要求书】:

1.一种IGBT串联均压电路,包括至少两个串联的主IGBT,其特征在于,每个主IGBT与一个缓冲均压单元连接;所述缓冲均压单元包括并联在所述主IGBT集电极和发射极之间的电阻均压支路;所述电阻均压支路中点与电压互感器原边绕组一端连接,所述电阻均压支路一端与所述电压互感器原边绕组另一端、辅助IGBT发射极连接;所述电压互感器副边绕组两端与电压跟随器/电压比较器输入端、所述辅助IGBT的发射极连接;所述电压跟随器/电压比较器输出端与所述辅助IGBT的栅极连接;所有缓冲均压单元的辅助IGBT集电极均与辅助缓冲支路连接;所述辅助缓冲支路与所述电阻均压支路另一端连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT串联均压电路,其特征在于,所述主IGBT、缓冲均压单元数量均为两个。

3.根据权利要求2所述的IGBT串联均压电路,其特征在于,所述辅助缓冲支路包括缓冲电容;两个缓冲均压单元的两个辅助IGBT集电极均与缓冲电容一端连接,所述缓冲电容另一端并联接入两个二极管阴极之间,所述两个二极管阳极分别通过两个电阻均压支路一端与两个主IGBT的集电极连接;所述缓冲电容与放电电阻并联;所述缓冲电容容值大于5 。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司,未经中国电建集团中南勘测设计研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410759918.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top