[发明专利]一种蓝光激光器腔面制备方法

权利要求书

1.一种蓝光激光器腔面制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在蓝宝石衬底上方低温生长GaN缓冲层,低温的范围为450-650℃；

步骤2，在所述GaN缓冲层上通过金属有机化合物化学气相沉积法MOCVD外延生长蓝光LED/LD外延层；

步骤3，根据需求在蓝宝石衬底下方选区，选区部分利用光化学辅助湿法刻蚀法刻蚀出周期性的刻蚀槽；

步骤4，在所述蓝光LED/LD外延层上通过蒸镀工艺进行生长电极，且所述电极在外延层结构的表面上呈周期性排列，相邻电极间形成的绝缘沟道与刻蚀槽的位置相对应；

步骤5，在绝缘沟道与刻蚀槽相对应的位置进行解理，形成LD/LED管芯，腔面制备完毕。

2.如权利要求1所述的蓝光激光器腔面制备方法，其特征在于，所述刻蚀槽尺寸为：长20um×深50um。

3.如权利要求1所述的蓝光激光器腔面制备方法，其特征在于，步骤3中采用标准光刻工艺制备SiO₂刻蚀掩膜，并用HF溶液去除SiO₂。

4.如权利要求1所述的蓝光激光器腔面制备方法，其特征在于，步骤3还要对所述蓝宝石衬底的表面进行选择性腐蚀：

在所述蓝宝石衬底下方涂覆光致抗蚀剂层，通过掩膜对所述光致抗蚀剂层进行选择性曝光后，再对所述光致抗蚀剂层的已曝光部分和未曝光部分进行显影处理，则使得所述蓝宝石衬底表面形成抗蚀剂图形，完成选择性腐蚀。