[发明专利]触控显示基板及其制备方法、触控显示装置在审
| 申请号: | 201410758636.2 | 申请日: | 2014-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN104461142A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 李田生;谢振宇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种触控显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,所述衬底基板的上方形成有导电桥,所述导电桥的上方形成有触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域,所述触控信号引出线的上方形成有钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔,所述钝化层上形成有触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。
2.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线包括:由下至上依次层叠的第二金属图案和第三金属图案,所述第二金属图案由至少一种低电阻导电材料构成,所述第三金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。
3.根据权利要求2所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线还包括:位于所述第二金属图案下方的第一金属图案,所述第一金属图案由至少一种耐氧化导电材料构成。
4.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方。
5.根据权利要求4所述的触控显示基板,其特征在于,所述导电桥与所述像素电极同层设置。
6.根据权利要求5所述的触控显示基板,其特征在于,所述触控信号引出线与所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和所述薄膜晶体管的漏极同层设置。
7.根据权利要求1所述的触控显示基板,其特征在于,所述导电桥为条状,所述导电桥与所述触控信号引出线平行设置。
8.一种触控显示装置,其特征在于,包括:如上述权利要求1-7中任一所述的触控显示基板。
9.一种触控显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的上方形成导电桥;
在所述导电桥的上方形成触控信号引出线,所述触控信号引出线覆盖所述导电桥的上表面的部分区域;
在所述触控信号引出线的上方形成钝化层,所述钝化层上对应所述导电桥的上表面未覆盖所述触控信号引出线的区域形成有过孔;
在所述钝化层上形成触控电极,所述触控电极通过过孔与所述导电桥连接。
10.根据权利要求9所述的触控显示基板的制备方法,其特征在于,所述触控显示基板还包括:栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线和数据线限定出像素单元,所述薄膜晶体管和所述像素电极位于所述像素单元内,所述像素电极位于所述薄膜晶体管的漏极的下方;
所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤之前还包括:
通过构图工艺在所述衬底基板的上方形成栅线和栅极;
在所述栅线和所述栅极的上方形成绝缘层;
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成有源层;
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述像素电极;
所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤具体包括:
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述导电桥;
所述在衬底基板的上方形成导电桥的步骤之后还包括:
通过构图工艺在所述绝缘层的上方形成所述数据线,在所述有源层的上方形成源极和漏极,所述漏极连接所述有源层和所述像素电极。
11.根据权利要求10所述的触控显示基板的制备方法,其特征在于,形成所述像素电极的步骤与形成所述导电桥的步骤是在同一次构图工艺中进行的。
12.根据权利要求10所述的触控显示基板的制备方法,其特征在于,形成所述触控信号引出线的步骤与形成所述数据线、所述源极和所述漏极的步骤是在同一次构图工艺中进行的。
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