[发明专利]封装半导体器件的方法和用于执行所述方法的设备在审

专利信息
申请号: 201410756765.8 申请日: 2014-12-10
公开(公告)号: CN105097561A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 金俊一;金成振;金学模 申请(专利权)人: 东部HITEK株式会社
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/373;H01L21/67
代理公司: 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 代理人: 丁国芳
地址: 韩国首尔*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 封装 半导体器件 方法 用于 执行 设备
【权利要求书】:

1.一种封装安装在柔性衬底上的半导体器件的方法,所述柔性衬底具有纵向延伸的带形状并且在其上封装区域沿其延伸方向限定,所述方法包括:

将所述柔性衬底传送通过封装模块;

检测所述封装区域中其上未安装半导体器件的空白区域;和

在位于所述封装模块的处理区域中的至少一个半导体器件上形成散热层,以便封装所述半导体器件,

其中所述散热层通过使用丝网印刷工艺用散热涂料组合物涂布所述半导体器件而形成,并且其中在所述空白区域上封装过程被省略。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述散热层的形成包括:

在所述柔性衬底上布置掩模,其中所述掩模限定开口,所述开口使所述半导体器件和所述柔性衬底的顶表面的与所述半导体器件邻接的部分暴露;

将所述散热涂料组合物供应到所述掩模上;和

使用刮板用所述散热涂料组合物填充所述开口。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述封装模块的所述处理区域包括多个丝网印刷区域,并且其中在剩余的封装区域上的所述丝网印刷工艺在除所述空白区域以外的位于所述多个丝网印刷区域下方的封装区域上同时进行。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述丝网印刷区域彼此分离。

5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括对在所述半导体器件上形成的所述散热层进行固化。

6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括形成底部填充层,所述底部填充层填充所述柔性衬底与所述半导体器件之间的空间。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述底部填充层通过将底部填充树脂注入所述柔性衬底与所述半导体器件之间的所述空间中而形成。

8.根据权利要求6所述的方法,其中所述底部填充层的形成包括:

在所述半导体器件上形成所述散热层之前,将所述柔性衬底传送通过底部填充模块;和

在位于所述底部填充模块的处理区域中的所述柔性衬底的所述封装区域与所述半导体器件之间形成所述底部填充层,其中在所述空白区域上所述底部填充层的形成被省略。

9.根据权利要求8所述的方法,其中多个封装区域位于所述底部填充模块的所述处理区域中,并且其中所述底部填充过程在除所述空白区域以外的、安装于所述底部填充模块的所述处理区域中的剩余的封装区域上的所述半导体器件上同时进行。

10.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括固化所述底部填充层。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述散热涂料组合物包含约1重量%到约5重量%的表氯醇双酚A树脂、约1重量%到约5重量%的改性环氧树脂、约1重量%到约10重量%的固化剂、约1重量%到约5重量%的固化促进剂和剩余量的散热填料。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述改性环氧树脂是羧基封端的丁二烯丙烯腈(CTBN)改性环氧树脂、胺封端的丁二烯丙烯腈(ATBN)改性环氧树脂、腈丁二烯橡胶(NBR)改性环氧树脂、丙烯酸橡胶改性环氧树脂(ARMER)、聚氨酯改性环氧树脂或硅改性环氧树脂。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述固化剂是酚醛清漆型酚醛树脂。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述固化促进剂是基于咪唑的固化促进剂或基于胺的固化促进剂。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述散热填料包括粒径为约0.01μm到约50μm的氧化铝。

16.一种封装安装在柔性衬底上的半导体器件的设备,所述柔性衬底具有纵向延伸的带形状并且在其上封装区域沿其延伸方向限定,所述设备包括:

配置成供应所述柔性衬底的退绕机模块;

配置成回收所述柔性衬底的重绕机模块;

封装模块,其布置在所述退绕机模块与所述重绕机模块之间,以便通过使用丝网印刷工艺用散热涂料组合物涂布所述半导体器件,由此在所述半导体器件上形成散热层;和

控制单元,其配置成检测所述封装区域中其上未安装半导体器件的空白区域并控制所述封装模块的操作,以使在所述空白区域上封装过程被省略。

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