[发明专利]一种频率资源利用率高的声表面波传感器及其识别方法有效
| 申请号： | 201410747729.5 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104406613A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 高翔;余灯;董增武 | 申请（专利权）人： | 常州智梭传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/48 | 分类号： | G01D5/48 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 213164 江苏省常州市常武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 频率 资源利用率 表面波 传感器 及其 识别 方法 | ||
1.一种频率资源利用率高的声表面波传感器，其特征在于：包含共用一个天线(1)的两个声表面波谐振器(2)，谐振器A(21)和谐振器B(22)；所述谐振器A(21)和谐振器B(22)的频率与物理量的变化曲线如下：在测量的量程范围内，谐振器A(21)和谐振器B(22)的频率与物理量的变化曲线相反；谐振器A(21)和谐振器B(22)的频率与物理量的变化曲线的绝对值相同；在测量的量程范围内，谐振器A(21)和谐振器B(22)的频率与物理量的变化曲线不相交。
2.根据权利要求1所述的一种频率资源利用率高的声表面波传感器，其特征在于：所述谐振器A(21)和谐振器B(22)通过壳体(3)和壳盖(4)封装在一起，形成一个声表面波传感器芯片；所述谐振器A(21)和谐振器B(22)分别固定在一个压电基片(5)上；所述两个压电基片(5)固定在壳体(3)内的底部；所述壳体(3)和壳盖(4)密封连接。
3.根据权利要求2所述的一种频率资源利用率高的声表面波传感器，其特征在于：还包括两个压电薄膜(6)；所述谐振器A(21)和谐振器B(22)分别通过一个压电薄膜(6)固定在一个压电基片(5)上。
4.根据权利要求1所述的一种频率资源利用率高的声表面波传感器，其特征在于：所述谐振器A(21)和谐振器B(22)分别通过各自的壳体(3)和壳盖(4)封装成一个声表面波传感器芯片，两个声表面波传感器芯片与天线(1)构成频率资源利用率高的声表面波传感器；所述谐振器A(21)和谐振器B(22)分别固定在一个压电基片(5)上；所述壳体(3)和壳盖(4)密封连接。
5.根据权利要求4所述的一种频率资源利用率高的声表面波传感器，其特征在于：还包括两个压电薄膜(6)；所述谐振器A(21)和谐振器B(22)分别通过一个压电薄膜(6)固定在一个压电基片(5)上。
6.一种声表面波传感器的识别方法，其特征在于：每个声表面波传感器均采用如权利要求1所述的频率资源利用率高的声表面波传感器，每个声表面波传感器的识别码IDn不相等；识别码IDn为谐振器A和谐振器B在物理量为零时的频率和；采用N个前述传感器进行测量，N为自然数，收集每个声表面波传感器的回波频率F，根据ID1＝FA1+FB1，ID2＝FA2+FB2，IDn＝FAn+FBn，由此确定是哪一个声表面波传感器。
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