[发明专利]用于在裸片分离过程期间减小背面裸片损坏的方法有效
| 申请号: | 201410740485.8 | 申请日: | 2014-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN104701156B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
| 发明(设计)人: | 入口正一;中西腾 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 分离 过程 期间 减小 背面 损坏 方法 | ||
1.一种锯割半导体晶片的方法,其包括:
提供具有有源装置表面及背表面的半导体晶片;
研磨所述晶片的所述背表面直到所述晶片达到所要厚度;
将锚定材料应用到所述晶片的所述背表面;
使所述锚定材料固化;
将所述半导体晶片定位于晶片锯割设备中,所述晶片锯割设备包含锯割刀片及物理上支撑所述半导体晶片的可移动支撑结构,其中所述半导体晶片是使用包含锚定材料及切片胶带的多个连接层与所述支撑结构耦合;
借助所述锯割刀片切割所述晶片及所述锚定材料,其中在所述切割操作期间,所述锯割刀片的接触部分切割所述切片胶带的一部分;
使用所述切割操作单切所述半导体晶片以形成多个集成电路裸片,每一集成电路裸片具有第一表面、相对第二表面及侧表面,每一集成电路裸片的所述第二表面覆盖有所述锚定材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
将经单切裸片中的第一裸片定位于衬底的装置区域上,其中下伏于所述第一裸片下的所述锚定材料帮助将所述第一裸片粘附到所述衬底;
将所述第一裸片电连接到所述衬底;以及
包封所述衬底及所述裸片的部分以形成集成电路封装。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述衬底为包含多个装置区域的引线框架面板;
所述方法进一步包括将所述多个集成电路裸片定位于所述引线框架面板的所述装置区域上;
将所述多个集成电路裸片电连接到所述引线框架面板;
包封所述引线框架面板及所述集成电路裸片的部分以形成经模制面板;以及
单切所述经模制面板以形成多个集成电路封装,每一集成电路封装包含所述集成电路裸片中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述切割操作不涉及完全切穿所述切片胶带,且其中所述切片胶带经布置以帮助在所述切割操作之后将经单切裸片固持在一起。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述锚定材料由填充有导电填料或非导电填料的聚合物组成。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述锚定材料具有在室温下大于2400MPa的弹性模数、在室温下大于20MPa的剪切强度及等于或大于硅的硬度。
7.根据权利要求1所述的方法,其中在介于150℃与180℃之间的温度下使所述锚定材料固化达最少1小时。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述锚定材料应用是选自由层压、印刷或旋涂组成的群组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





