[发明专利]透射型靶和设有透射型靶的X射线发生管有效
| 申请号： | 201410740256.6 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104701118A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山田修嗣;塚本健夫;小仓孝夫;吉武惟之;五十岚洋一 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J35/04 | 分类号： | H01J35/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 曾琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透射 设有 射线 发生 | ||
1.一种透射型靶，包括：
靶层；和
透射基板，所述透射基板被配置为支撑所述靶层，
其中，所述透射基板包括彼此面对的第一表面和第二表面，并且由多晶金刚石形成，
其中，所述第一表面包括具有第一平均晶粒直径的多晶金刚石，所述第一平均晶粒直径小于所述第二表面中所包括的多晶金刚石的第二平均晶粒直径，并且
其中，所述靶层由所述第一表面或所述第二表面支撑。
2.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶层由所述第一表面支撑，所述第一表面包括具有所述第一平均晶粒直径的多晶金刚石。
3.根据权利要求2所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直径与所述第二平均晶粒直径的比率为0.75或更低。
4.根据权利要求3所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直径与所述第二平均晶粒直径的比率为0.2或更低。
5.根据权利要求2所述的透射型靶，其中，所述第一平均晶粒直径在5μm与50μm之间。
6.根据权利要求2所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直径为100μm或更大。
7.根据权利要求2所述的透射型靶，其中，所述透射基板具有在基板厚度方向上从第一表面朝向第二表面延伸的柱形晶粒。
8.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，所述靶层由第二表面支撑，所述第二表面包括具有所述第二平均晶粒直径的多晶金刚石。
9.根据权利要求8所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直径与所述第一平均晶粒直径的比率为1.3或更高。
10.根据权利要求9所述的透射型靶，其中，所述第二平均晶粒直径与所述第一平均晶粒直径的比率为5或更高。
11.根据权利要求8所述的透射型靶，其中，形成所述透射基板的多晶金刚石的晶粒场包含sp2键合。
12.根据权利要求11所述的透射型靶，其中，所述sp2键合在拉曼光谱法中由1580cm-1的拉曼移位确定。
13.根据权利要求1所述的透射型靶，其中，形成所述透射基板的多晶金刚石在基板厚度方向上具有晶粒直径分布，并且
当所述晶粒直径分布在晶粒直径轴上按照采样数量n进行采样时，平均晶粒直径Dm由以下表达式确定：
其中，大于晶粒直径Di-1且不大于Di的晶粒直径是Di，大于晶粒直径Di-1且不大于Di的累积表面积是Si，i是从1到n的整数，晶粒直径D0是不小于0的实际数字。
14.根据权利要求13所述的透射型靶，其中，平均晶粒直径通过电子背散射衍射法而确定。
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