[发明专利]一读一写存储器、多读多写存储器及其读写方法

权利要求书

1.一种一读一写存储器，所述一读一写存储器的目标深度为x，x为大于0的整数，其特征在于：包括(1+N)个一读或一写存储器、状态存储单元和控制逻辑，N为大于等于2的偶数，并且满足目标深度除以N为整数，每个所述一读或一写存储器的深度为所述目标深度x的1/N，(N+1)个所述1RW存储器具有x*(N+1)/N个地址，其中x个地址存的是有效数据，x/N个地址存储的是无效数据，且所述x/N个地址分布在(N+1)个所述1RW存储器中，所述状态存储单元用于记录并更新每个读地址或者写地址对应的数据存储状态，所述控制逻辑用于控制所述一读一写存储器的读写操作。

2.根据权利要求1所述的一读一写存储器，其特征在于，所述状态存储单元用小于等于[(N+1)*(log₂N取整+1)]个比特来记录每个读地址或者写地址对应的数据存储状态。

3.根据权利要求1所述的一读一写存储器，其特征在于，所述状态存储单元的存储深度与每个所述一读或一写存储器的存储深度相同。

4.一种权利要求1所述的一读一写存储器的读写方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，所述控制逻辑从所述状态存储单元中读出读地址和写地址对应的数据存储状态；

S2，根据读到的所述数据存储状态判断到对应的所述一读或一写存储器中读取数据，并找出可写的所述一读或一写存储器写入数据。

5.根据权利要求4所述的一读一写存储器的读写方法，其特征在于，若读数据操作和写数据操作同时，且所述读地址和写地址对应的数据在同一块所述一读或一写存储器中，则将数据写入除读数据操作对应的一读或一写存储器之外的一读或一写存储器中。

6.根据权利要求4或5所述的一读一写存储器的读写方法，其特征在于，在步骤S2中，若所述读地址和写地址对应的数据在同一块所述一读或一写存储器中，则选择存有无效数据的所述一读或一写存储器写入数据，并同时更新所述状态存储单元中写地址对应的数据存储状态；若所述读地址和写地址对应的数据不在同一块所述一读或一写存储器中，则直接将数据写入到所述写地址对应的一读或一写存储器中。

7.一种基于权利要求1所述一读一写存储器实现的多读多写存储器，所述多读多写存储器nRmW的目标深度为x，其特征在于：包括n个1RmW存储单元和一状态存储单元，每个所述1RmW存储单元具有(N+m-1)个一读一写存储器，其中x，n，N，m，均为大于0的整数，每个所述一读一写存储器的深度和所述状态存储单元的深度均为所述目标深度x的1/N，所述状态存储单元用于记录并更新所述多读多写存储器的每个读地址或者写地址对应的数据存储状态。

8.根据权利要求7所述的多读多写存储器，其特征在于，所述状态存储单元同时支持(m+n)个读操作和m个写操作。

9.一种权利要求7所述的多读多写存储器的读写方法，其特征在于，当所述nRmW存储器的m个写操作和n个读操作同时有效时，n个读操作分别作用于每一个所述1RmW存储单元；当所述nRmW存储器的读操作或者写操作有效时，从所述状态存储单元中读出对应的读地址或写地址的数据存储状态，根据读到的所述数据存储状态判断到对应的所述一读一写存储器中读取数据，并找出可写的所述一读一写存储器写入数据，写入数据的同时更新所述状态存储单元对应的存储状态。