[发明专利]存储装置、电子装置以及刻录内存的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种内存，且特别涉及一种存储装置、电子装置，以及刻录(programming)内存的方法。

背景技术

现代的移动电子装置像是智能型手机使用嵌入式多介质存储卡(embedded multimedia card，eMMC)当作存储装置做大容量数据存储。eMMC是基于与非门(NAND)闪存科技。使用者经常在智能型手机运作期间开机或关机。有时候这种行为会导致智能型手机中的eMMC存储装置突然断电。因为NAND闪存的特性，所以在eMMC存储装置的一些数据可能会在这样的情况下受损。

NAND闪存有三种，亦即，单层记忆单元(single-level cell，SLC)、多层记忆单元(multi-level cell，MLC)与三层记忆单元(triple-level cell，TLC)。SLC闪存的每一个记忆单元存储1个位(bit)。MLC闪存的每一个记忆单元存储2个位。TLC闪存的每一个记忆单元存储3个位。由于架构相异，相较于SLC，MLC与TLC具有较高的数据容量和较便宜的价格，但却具有较短的寿命。

MLC闪存的页(page)可分类为两组，亦即，A组与B组。A组的页包括记忆单元的最低有效位(least significant bit，LSB)，B组的页包括记忆单元的最高有效位(most significant bit，MSB)。A组与B组的页被成对的关联起来。换句话说，每一对(pair)包括一个A组的页与一个B组的页。以下表1是MLC闪存的页对的范例。表1的每一列是一个页对。例如，A组的页9与B组的页12被关联成一对。页9包括MLC闪存的一些记忆单元的LSB，页12包括同一闪存的同一批记忆单元的MSB。

A组B组021436

4871091211141316……

表1