[发明专利]一种碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410729513.6 申请日: 2014-12-02
公开(公告)号: CN105646007A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 汤素芳;胡成龙;庞生洋;王石军 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富;周秀梅
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合材料 表面 低温 长时间 氧化 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制备方法,其特征在 于:该方法包括如下步骤:

(1)碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层:

选用密度1.6-1.7g/cm3的碳/碳复合材料为原料,对其预处理后进行化学气相 沉积,沉积温度900-1200℃,沉积压力5-10mmHg,原料气体为三氯甲基硅烷 (MTS)、氢气和氩气,其中:三氯甲基硅烷流量为20-200g/h,氢气流量为 0.02-0.2m3/h,氩气流量0.02-0.2m3/h;

(2)配制涂层浆料:将氧化硼、碳化硼、二氧化硅和氧化铝粉末过300目 筛,球磨共混12-24h获得混合粉末,混合粉末中氧化硼为20-65wt.%,碳化硼为 5-15wt.%,二氧化硅为25-50wt.%,氧化铝为1-20wt%;向所述混合粉末中加入 pH为8.5-10的硅溶胶,机械搅拌后制得涂层浆料;

(3)采用涂刷工艺将步骤(2)制备的涂层浆料涂于碳/碳复合材料表面的 碳化硅涂层上,自然晾干后再在120-160℃下烘干2-6h;

(4)碳化硅涂层表面制备B4C-B2O3-SiO2-Al2O3涂层:将步骤(3)中烘干 后的样品在真空条件、常压及氩气气氛下进行烧结处理,烧结温度600-900℃, 烧结时间2-4h,从而在碳化硅涂层表面制得B4C-B2O3-SiO2-Al2O3涂层,即获得 碳/碳复合材料表面SiC/B4C-B2O3-SiO2-Al2O3抗氧化涂层。

2.根据权利要求1所述的碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制 备方法,其特征在于:步骤(1)中,碳/碳复合材料的预处理过程为:将碳/碳复 合材料依次用120#和400#碳化硅砂纸打磨后,在蒸馏水中超声波震荡清洗 30-60min,清洗后的碳/碳复合材料在120-160℃下烘干24-48h备用。

3.根据权利要求1所述的碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制 备方法,其特征在于:步骤(1)化学气相沉积过程中,将碳/碳复合材料放入化 学气相沉积炉内的石墨坩埚中进行,石墨坩埚底部钻有小孔以保证气体流通。

4.根据权利要求1所述的碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制 备方法,其特征在于:步骤(1)化学气相沉积过程中,每次沉积碳化硅时间为 12-20h,沉积一次后取出样品,翻面放置后再沉积下一次,沉积次数为偶数,累 积沉积时间为48-80h。

5.根据权利要求1所述的碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的制 备方法,其特征在于:步骤(2)中,所述混合粉末与硅溶胶的重量比例为(0.3-3):1。

6.根据权利要求1所述的碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的 制备方法,其特征在于:步骤(4)中,将样品放入石墨坩埚内置于热处理炉中 进行烧结处理,抽真空后通入氩气至常压,以5-10℃/min的升温速率升温到烧 结温度。

7.根据权利要求1所述的碳/碳复合材料表面中低温长时间抗氧化涂层的 制备方法,其特征在于:所制备的抗氧化涂层为双层结构,内层为碳化硅涂层, 外层为B4C-B2O3-SiO2-Al2O3涂层,其中:碳化硅涂层厚度为20-80μm。

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