[发明专利]一种亚微米双台阶图形的制备方法在审
| 申请号： | 201410720462.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105655233A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 时文华;付思齐;刘彬;缪小虎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 微米 台阶 图形 制备 方法 | ||
1.一种亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供掩膜版(10)，所述掩膜版(10)上设置有若干个图形(11)，提供样品， 所述样品放置于所述掩膜版(10)的下方；
(2)在所述掩膜版(10)与样品之间设置光刻胶，采用光刻方法对所述样品 上的掩膜版(10)进行曝光，形成光刻胶形貌(20)；
(3)采用刻蚀方法，将所述光刻胶形貌(20)转移至所述样品上；
(4)去除所述光刻胶。
2.根据权利要求1所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，所 述图形(11)为二维周期性图形，若干个所述图形(11)呈阵列形状排列分布在所述 掩膜版(10)上。
3.根据权利要求2所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，所 述图形(11)呈方形，边长为2～4微米，所述阵列形状为矩形阵列，阵列周期为 2.5～6微米。
4.根据权利要求2所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，所 述图形(11)呈圆形，直径为2～10微米，所述阵列形状为环形阵列，阵列周期为 2～6微米。
5.根据权利要求1所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，步 骤(2)中所述光刻方法为接触式光刻或者接近式曝光中的一种。
6.根据权利要求5所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，所 述接近式曝光的曝光时间为4～8秒。
7.根据权利要求1所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，步 骤(2)中所述光刻胶的厚度为1～3微米。
8.根据权利要求1所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，步 骤(3)中所述刻蚀方法为离子束刻蚀或者感应耦合离子体刻蚀。
9.根据权利要求8所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，所 述感应耦合离子体刻蚀的时间为2～5分钟。
10.根据权利要求8所述的亚微米双台阶图形的制备方法，其特征在于，所 述感应耦合离子体刻蚀的温度小于50摄氏度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410720462.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
