[发明专利]晶圆研磨方法

说明书

本发明提供一种晶圆研磨方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面；在所述晶圆的功能面上形成保护层后，再于所述保护层上覆盖一层保护胶带；之后，将所述晶圆放置在研磨设备上，研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆；去除所述保护胶带，之后再去除所述保护层。在所述进行研磨前，在晶圆的功能面上形成保护层，之后在所述保护层上覆盖一层保护胶带。所述保护胶带在研磨过程中，可有效保护晶圆功能面上的结构在研磨过程被损伤，所述保护胶带粘附在保护层上，可有效克服保护胶带与晶圆功能面接触，进而在研磨工艺后撕去胶带过程中，保护胶带会去除部分晶圆功能面表面的部件的缺陷，减小晶圆功能面上的结构损伤。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种晶圆研磨方法。

背景技术

随着科技的发展，电子产品的功能不断增强，而尺寸不断减小。在半导体器件的制造领域，半导体器件的尺寸不断减小，电子芯片的尺寸不断减小。

为此，在半导体器件制造过程中，在晶圆的功能面上形成众多半导体器件之后，进行晶圆背面研磨工艺(Back Grinding，简称BG)，采用平坦化工艺研磨晶圆与功能面对应的背面去除部分厚度的晶圆，以减小后续形成的芯片厚度。

在研磨晶圆背面的过程中，会先在晶圆的功能面上覆盖一层保护胶带(BG tape)，以避免在研磨晶圆背面过程中产生的杂质造成晶圆功能面污染，以及避免晶圆功能直接与研磨设备(如用于固定晶圆的吸盘)直接接触而造成晶圆功能面受损，进而降低形成的芯片质量。

然而，即便如此，在晶圆BG工艺后，在取下晶圆功能面上的保护胶带后，发现晶圆的功能面依然出现损伤(Peeling)从而影响芯片质量。

为此，如何改进晶圆的研磨工艺以降低晶圆损伤，是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆研磨方法，以降低晶圆背面研磨(BG) 工艺中晶圆受损程度。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆研磨方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面；

在所述晶圆的功能面上形成保护层；

在所述保护层上覆盖保护胶带；

将所述晶圆放置在研磨设备上，研磨所述晶圆的背面以去除部分厚度的晶圆；

去除所述保护胶带，之后去除所述保护层。

可选地，所述保护层的材料为有机硅材料。

可选地，所述保护层的材料为六甲基二硅氧烷。

可选地，形成所述保护层的步骤包括：采用化学气相沉积在所述晶圆的功能面上形成六甲基二硅氧烷层，之后进行退火工艺，以形成所述保护层。

可选地，所述退火工艺包括：在惰性气体环境下，控制退火的温度为 180～200℃，持续退火2～3小时。

可选地，所述惰性气体为氮气。

可选地，去除所述保护层的方法为湿法清洗工艺。

可选地，所述湿法清洗工艺中，采用有机清洗剂去除所述保护层。

可选地，所述湿法清洗工艺中，所述有机清洗剂为苯酚溶液。

可选地，所述湿法清洗工艺的步骤包括：所述苯酚溶液的体积比浓度大于或等于20％，清洗温度为70～90℃，持续清洗3～10分钟。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：