[发明专利]一种基于查表法的半导体器件的建模方法和系统

权利要求书

1.一种基于查表法的半导体器件的建模方法，其特征在于，包括：

根据多个半导体单胞器件的本征数据，获取由多个所述半导体单胞器件组成的半导体器件的本征仿真数据；

获取所述半导体器件的寄生仿真数据；

根据所述半导体器件的本征仿真数据和寄生仿真数据，建立所述半导体器件的查表模型；

其中，所述根据多个半导体单胞器件的本征数据，获取由多个所述半导体单胞器件组成的半导体器件的本征仿真数据，包括：

对所述半导体单胞器件进行不同测试条件下的测试，以得到相应测试条件下的测试数据；

去除所述测试数据中的寄生参量，得到所述半导体单胞器件的本征数据；

根据所述半导体单胞器件的本征数据，建立所述半导体单胞器件的本征部分的查表模型；

组合多个所述半导体单胞器件，仿真以获取到由多个所述半导体单胞器件组成的半导体器件的本征仿真数据。

2.根据权利要求1所述的基于查表法的半导体器件的建模方法，其特征在于，所述半导体单胞器件为增强型的双极结型晶体管、场效应晶体管或双极型晶体管；或者

所述半导体单胞器件为耗尽型的双极结型晶体管、场效应晶体管或双极型晶体管。

3.根据权利要求1所述的基于查表法的半导体器件的建模方法，其特征在于，根据所述半导体单胞器件的本征数据，建立所述半导体单胞器件的本征部分的查表模型具体执行过程为：

根据所述半导体单胞器件在不同环境温度的本征数据，建立所述半导体单胞器件不同温度的查表模型。

4.根据权利要求1所述的基于查表法的半导体器件的建模方法，其特征在于，在获取所述半导体器件的寄生仿真数据之前，还包括：

根据所述半导体器件的加工工艺和设计版图，仿真所述半导体器件的寄生结构。

5.根据权利要求3所述的基于查表法的半导体器件的建模方法，其特征在于，建立所述半导体器件的查表模型，还包括：根据半导体器件的温度分布效应，获得所述半导体器件中的半导体单胞器件的温度函数，建立所述半导体器件包含温度模型的查表模型。

6.根据权利要求1-5任一所述的基于查表法的半导体器件的建模方法，其特征在于，所述半导体器件的栅宽为所述半导体单胞器件的栅宽的整数倍。

7.一种基于查表法的半导体器件的建模系统，其特征在于，包括：

本征仿真数据获取模块，用于根据多个半导体单胞器件的本征数据，获取由多个所述半导体单胞器件组成的半导体器件的本征仿真数据；

寄生仿真数据获取模块，用于获取所述半导体器件的寄生仿真数据；

模型建立模块，用于根据所述半导体器件的本征仿真数据和寄生仿真数据，建立所述半导体器件的查表模型；

其中，所述本征仿真数据获取模块包括：

半导体单胞器件测试数据获取单元，用于对所述半导体单胞器件进行不同测试条件下的测试，以得到相应测试条件下的测试数据；

半导体单胞器件本征数据获取单元，用于去除所述测试数据中的寄生参量，得到所述半导体单胞器件的本征数据；

半导体单胞器件模型建立单元，用于根据所述半导体单胞器件的本征数据，建立所述半导体单胞器件的本征部分的查表模型；

半导体器件本征仿真数据获取单元，用于组合多个所述半导体单胞器件，仿真以获取到由多个所述半导体单胞器件组成的半导体器件的本征仿真数据。

8.根据权利要求7所述的基于查表法的半导体器件的建模系统，其特征在于，所述半导体单胞器件为增强型的双极结型晶体管、场效应晶体管或双极型晶体管；或者

所述半导体单胞器件为耗尽型的双极结型晶体管、场效应晶体管或双极型晶体管。

9.根据权利要求7所述的基于查表法的半导体器件的建模系统，其特征在于，所述半导体单胞器件模型建立单元具体执行过程为：

根据所述半导体单胞器件在不同环境温度的本征数据，建立所述半导体单胞器件不同温度的查表模型。