[发明专利]太阳能电池生产方法

权利要求书

1.太阳能电池生产方法，其中将一种金属化浆料(2)涂覆在基体(1)的表面(11)上，并通过在烧结工序中对基体进行处理，由金属化浆料生成一个金属化层(21)，烧结工序包含一个加热阶段(51a、52a)和一个接下来的冷却阶段(51b、52b)，在加热阶段基体沿着一条温度变化曲线(51、52)被加热至最高温度，而在冷却阶段基体沿着一条温度变化曲线(51、52)从最高温度冷却降温；其特征在于：基体温度变化曲线(51、52)在烧结工序加热阶段(51a、52a)和/或冷却阶段(51b、52b)的最大斜率为每秒100开尔文(100K/s)、70K/s、50K/s或30K/s。

2.根据权利要求1的太阳能电池生产方法，其特征在于：最高温度高于400℃、450℃、500℃、600℃或700℃。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：加热阶段(51a、52a)到达基体(1)的加热能量不超过最大功率密度每平方厘米30瓦(30W/cm²)、25W/cm²、20W/cm²或15W/cm²。

4.根据前述权利要求任一项所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：通过使基体穿过连续式加热炉(3)完成烧结工序。

5.根据前述权利要求任一项所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：在加热阶段对基体(1)进行单面照射，以便将基体(1)加热。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：在加热阶段，从覆盖金属化浆料的侧面或者从与金属化浆料相对的侧面照射基体(1)，以便对基体(1)进行加热。

7.根据前述权利要求任一项所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：基体(1)的一面或两面覆盖有使表面钝化的钝化层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：氧化铝、氮氧化铝层，和/或由氧化铝、氮氧化铝、氮氧化硅和/或氮化硅组成的重叠层被作为背面钝化层。

9.根据权利要求7或8所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：由氮氧化硅或氮化硅加工一个正面钝化层。

10.根据前述权利要求任一项所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：由氮氧化硅或氮化硅加工一个抗反射涂层。

11.根据前述权利要求任一项所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：将金属化浆料涂覆在背面并由此产生一个背面金属化层(21)，在烧结工序中背面金属化层(21)下部形成一个背面场(Back Surface Field，BSF)。

12.根据前述权利要求任一项所述的太阳能电池生产方法，其特征在于：基体(1)由一种单晶半导体或多晶半导体构成。