[发明专利]一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法

权利要求书

1.一种相变材料，其特征在于，所述相变材料至少包括：组分通式为Cr_xSb_yTe₁的化合物，其中，x、y均指元素的原子比，且满足：0<x<1，2.5≤y≤3.5。

2.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于：所述相变材料的组分满足：0.25≤x≤0.5。

3.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于：所述相变材料的组分为Cr_0.25Sb_2.5Te₁或Cr_0.41Sb_2.5Te₁。

4.一种相变存储器，其特征在于：所述相变存储器至少包括下电极层、上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层，所述相变材料层包括由如权利要求1～3任意一项所述的相变材料。

5.根据权利要求4所述的相变存储器，其特征在于：所述下电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的一种，或由所述单金属材料任意两种或多种组合成的合金材料，或所述单金属材料的氮化物或氧化物。

6.根据权利要求4所述的相变存储器，其特征在于：所述上电极层的材料包括：单金属材料W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu、Ni中的一种，或由所述单金属材料任意两种或多种组合成的合金材料，或所述单金属材料的氮化物或氧化物。

7.一种如权利要求4～6任意一项所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

形成下电极层；

在所述下电极层上形成相变材料层；

在所述相变材料层上形成上电极层；

在所述上电极层上形成引出电极，把所述上电极层、所述下电极层通过所述引出电极与器件单元的控制开关、驱动电路及外围电路集成。

8.根据权利要求7所述的相变存储器的制备方法，其特征在于：所述引出电极的材料为W、Pt、Au、Ti、Al、Ag、Cu或Ni中任一种，或其任意两种或多种组合成的合金材料。

9.根据权利要求7所述的相变存储器的制备方法，其特征在于：制备所述下电极层、所述相变材料层、所述上电极层及所述引出电极的方法包括：溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、金属化合物气相沉积法、分子束外延法、原子气相沉积法或原子层沉积法中任一种。