[发明专利]一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法有效
| 申请号： | 201410678014.9 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104521750A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 刘立功;李军;张峰;王晶;赵泓;于拴仓;崔瑾;杨红红 | 申请（专利权）人： | 北京市农林科学院 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 100097 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 黄瓜 大孢子 培养 克服 再生 植株 打顶 方法 | ||
1.一种黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：该方法通过将发生花打顶现象的再生植株移至恢复培养基进行恢复培养，并控制所述恢复培养的光照条件、温度条件、湿度条件，将所述发生花打顶的再生植株恢复为正常再生植株。
2.根据权利要求1所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：所述恢复培养基为，以MS基本培养基为基础，添加赤霉素0.3-1.0mg/L，优选为0.5mg/L。
3.根据权利要求1或2所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：所述光照条件为：白天光照强为度6000LUX-12000LUX，优选为9000LUX，光照时间12-18h，优选为16h；夜晚光照强度为0LUX，光照时间为6h-12h，优选为8h。
4.根据权利要求1或2所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：所述温度条件为：白天温度为25-30℃，优选温度28℃；夜晚温度为18-25℃，优选为20℃。
5.根据权利要求1或2所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：所述湿度条件为：白天空气湿度为30％-70％，优选为50％；夜晚空气为60％-90％，优选为85％。
6.根据权利要求1-5中任一项所述黄瓜大孢子培养中克服再生植株花打顶的方法，其特征在于：所述黄瓜的品种为北京102、中农26、津优1中的一种或几种。
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