[发明专利]一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块

权利要求书

1.一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块（包括IGBT，MOSFE，二极管等功率模块），包括硅凝胶（1）、金属电极（2）、铝基板（3）、类金刚石薄膜（4）、铜（5）、焊膏（6）、功率芯片（7）和铝线（8），其特征在于，该功率模块适用于MOSFET、IGBT、二极管等功率器件。

2.如权利要求1所述的可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块，其特征在于，类金刚石薄膜（4）可以采用PECVD或者其他半导体薄膜工艺制备方法直接沉积到铝基板（3）表面。

3.如权利要求2所述的可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块，其特征在于，类金刚石薄膜（4）的存在避免了传统的DBC/Al界面，提高了导热率，减少了热疲劳带来的DBC/Al板开裂。

4.如权利要求3所述的可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块，其特征在于，类金刚石薄膜（4）的形状、位置和面积等参数可以根据实际需要进行调整。

5.如权利要求4所述的可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块，其特征在于，该功率模块没有传统DBC模块中的陶瓷层，不存在Cu/陶瓷片，陶瓷片/Cu之间的多个导热界面。