[发明专利]一种液晶显示器及其阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种液晶显示器及其阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是目前的主流显示装置，其显示区一般由上百万个重复的像素单元组成，而一个像素单元一般由红、绿、蓝三个子像素单元组成。子像素单元的结构如图1所示，主要由栅线1、数据线2、TFT、像素电极3、公共电极线4等组成，其中，TFT由下至上依次包括栅极5(与栅线1连接)、有源层6、源极7(与数据线2连接)和漏极8(通过导电孔9与像素电极3连接)。

具体的，该子像素单元可等效为图2所示的等效电路图。如图2所示，该子像素单元的结构的主要组成电容包括存储电容C_st、液晶电容C_lc和寄生电容C_gs等。其中，存储电容C_st由像素电极3和位于阵列基板上的公共电极线4组成，液晶电容C_lc则由像素电极3和彩膜基板上的公共电极组成。

TFT-LCD工作的时候，栅线1为栅极5供电，栅极5施加电压使得TFT导通，数据线2承载的数据信号经由源极7、有源层6和漏极8传输到像素电极3。通过往数据线2输入不同的数据信号，从而控制液晶电容C_lc两端的电压。液晶电容C_lc两端的电压不同，阵列基板和彩膜基板之间的液晶的偏转方向会不一样，子像素的光导通率也会随之而改变，最终实现控制每个子像素的显示亮度。

另外，在像素设计中不可避免地引入一些寄生电容。其中，如图2所示，TFT的漏极8和栅极5交叠导致形成寄生电容C_gs，该寄生电容C_gs对TFT-LCD的显示质量影响较大。进一步的，图3是图2所示的等效电路中、栅线1电压和像素电极3电压等信号的输出波形图。由图3中可以看出：在栅线1信号的下降沿，由于寄生电容C_gs的存在，像素电极3电压会与输入的数据信号之间电压差ΔV，其大小可以由下式计算得到：

ΔV=ΔVg*CgsCgs+Cst+Clc]]>

其中，上式中的ΔV_g为栅线1信号的高电压和低电压之差。上述现象叫做Feed-through效应。

由于Feed-through效应的存在，在子像素设计的过程中，技术人员会借助一些先进的电子设计自动化(Electronic Design Automation，简称EDA)工具对子像素进行模拟设计，例如如图3所示，设定子像素最佳公共电极电压(Best V_com)。但在阵列基板的制造过程中，通常需要几道成膜工序，每道工序中都涉及到对位的问题。因此如果在制造过程中，位于上层的数据线2、源极7和漏极8等结构与位于下层的栅极5和栅线1等结构发生图1中正负x方向的对位误差，导致各层结构对位不精准，将使得该子像素原先设定好的各电容发生改变，子像素的性能也会发生改变。若是寄生电容C_gs发生了变化，原先设定的子像素最佳公共电压将不再适用，将导致制成的TFT-LCD显示画面异常，加重残影(Image Stacking，简称IS)等不良现象。

发明内容

本发明提出一种液晶显示器及其阵列基板，有效地解决了在制造阵列基板的过程中，由于漏极和栅极对位不准，使得子像素的寄生电容C_gs发生变化的问题。

本发明第一方面提供了一种阵列基板，包括多个阵列排布的子像素单元，每一子像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极和连接像素电极的漏极；

其中，所述栅极形成有镂空区域，所述镂空区域对应漏极远离所述像素电极的一端设置，且所述漏极的端部位于所述镂空区域中。