[发明专利]一种液晶显示器及其阵列基板在审
| 申请号: | 201410650057.6 | 申请日: | 2014-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN104393004A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
| 发明(设计)人: | 吕启标 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 朱绘;张文娟 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 液晶显示器 及其 阵列 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多个阵列排布的子像素单元,每一子像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括栅极和连接像素电极的漏极;
其中,所述栅极形成有镂空区域,所述镂空区域对应漏极远离所述像素电极的一端设置,且所述漏极的端部位于所述镂空区域中。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域为圆形、多边形或不规则形状。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域为方形。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域的长度为4~6微米。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空区域的宽度比所述漏极的宽度大2~6微米。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括位于所述栅极和所述漏极之间的有源层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括非晶硅层和N型掺杂非晶硅层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述N型掺杂非晶硅层对应所述漏极设置。
9.根据权利要求7或8所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板适用于24英寸以上的液晶显示器。
10.一种液晶显示器,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





