[发明专利]非易失性存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储装置的方法，包括：

在衬底的顶表面上交替地层叠多个绝缘层和多个导电层；

形成暴露所述衬底的所述顶表面以及所述绝缘层的侧表面和所述导电层的侧表面的开口；

至少在所述导电层的暴露的侧表面上形成抗氧化层，其中所述抗氧化层由电介质材料形成；

在所述抗氧化层上形成栅极电介质层，所述栅极电介质层包括顺序形成在所述抗氧化层上的阻挡层、电荷存储层和隧穿层；以及

在所述隧穿层上形成沟道区。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述抗氧化层的所述电介质材料与所述阻挡层的直接接触所述抗氧化层的部分的电介质材料不同。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述抗氧化层是不连续层，所述不连续层完全覆盖所述导电层的所述暴露的侧表面，但是不完全覆盖设置在两个导电层之间的绝缘层的暴露的侧表面。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述抗氧化层的形成在所述导电层的所述暴露的侧表面上的部分具有基本上一致的厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层是多层结构，所述多层结构具有第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层包括接触所述电荷存储层的低介电常数材料，所述第二阻挡层包括在所述第一阻挡层和所述抗氧化层之间的高介电常数材料。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述抗氧化层具有比所述第二阻挡层的介电常数低的介电常数。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述抗氧化层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述抗氧化层的形成在所述导电层之一的所述暴露的侧表面上的部分的第一厚度与所述抗氧化层的形成在所述导电层的另一个的所述暴露的侧表面上的部分的第二厚度之间的最大差异小于或等于所述抗氧化层的平均厚度的25％。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层包括栅电极。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述抗氧化层沿垂直于所述衬底的所述顶表面的所述沟道区，从最靠近所述衬底的底部栅电极延伸至最远离所述衬底的顶部栅电极。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述多个导电层包括硅材料，还包括：

形成穿过所述多个绝缘层和所述多个导电层的隔离开口；

执行热处理工艺以将所述多个导电层的所述硅材料转变为金属硅化物；和

在所述隔离开口中形成隔离层，

其中在所述隔离开口中形成所述隔离层之后，所述抗氧化层保留在所述多个导电层和所述栅极电介质层之间。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述抗氧化层的背对所述栅电极的侧表面与所述绝缘层的侧表面不共面。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括布置在所述沟道区的下部的衬底上的外延层。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层用含氧气体形成。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述抗氧化层在不氧化所述导电层的暴露部分的温度，经由原子层沉积工艺或者经由化学气相沉积工艺形成。