[发明专利]真空环境中器件图形化制备方法在审
| 申请号： | 201410613579.9 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105632899A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王荣新;李智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 环境 器件 图形 制备 方法 | ||
1.真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将衬底(110)置于真空环境中；
(2)在所述衬底(110)上设有用于制备器件图形(122)的掩膜板(120)；
(3)所述掩膜板(120)或所述衬底(110)连接用于移动操作的移动平台；
(4)所述移动平台将掩膜板(120)定位在衬底(110)上；
(5)采用物理气相沉积方式在衬底(110)上沉积器件所需薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于， 步骤(5)中所述物理气相沉积方式为溅射、热蒸发、分子束外延、电子束蒸发、 离子镀以及激光脉冲沉积中的一种。
3.根据权利要求1所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于， 步骤(4)中所述移动平台连接计算机辅助控制系统，所述计算机辅助控制系统 用于通过控制移动平台实现掩膜板(120)在衬底(110)上的定位。
4.根据权利要求3所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于， 所述掩膜板(120)的定位精度为小于50nm。
5.根据权利要求1所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于， 所述掩膜板(120)呈平整状，掩膜板(120)材料为硅片、玻璃片、石英片、金属片、 陶瓷片和有机塑料片中的一种。
6.根据权利要求1所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于， 步骤(5)中所述器件所需薄膜材料为金属或介质。
7.根据权利要求6所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于， 金属材料为金、银、钛、铜、镍、钨、锌中的一种或多种的复合材料；绝缘介 质材料为氮化硅、氧化硅、氧化铪、氧化铝中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的真空环境中器件图形化制备方法，其特征在于，
应用所述掩膜板(120)制备出器件图形(122)的最小特征尺寸在亚微米范围。
9.如权利要求1至8所述方法的复杂器件图形化制备方法，其特征在于， 包括以下步骤：
(1)在衬底区域沉积形成第1类器件图形；
(2)在衬底区域沉积形成第2类器件图形；
……
(n)在衬底区域沉积形成第n类器件图形；
以上所述第1类、第2类、…、第n类器件图形之间组合、叠加形成复杂器 件图形。
10.根据权利要求9所述的复杂器件图形制备方法，其特征在于，所述第n 类器件图形，n为大于1的自然数。
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