[发明专利]掩模版和半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种掩模版，包括：

基板；

位于所述基板上的遮光层；

主图形，位于所述遮光层内，用于对半导体衬底上的器件图形结构进行修整；

其特征在于，还包括：

辅助图形，位于所述遮光层内，用于在半导体衬底上形成或者去除非器件图形；

所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率；

其中，所述主图形包括开口，所述辅助图形包括副栅极去除开口、伪栅去除开口或非可印亚衍射散射槽。

2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版的透光率为50％～90％。

3.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

采用第一掩模版在所述半导体衬底上形成第一器件图形结构；

采用第二掩模版对所述第一器件图形结构进行修整，所述第二掩模版包括基板和位于基板上的遮光层；

所述第二掩模版还包括位于所述遮光层内的主图形，所述主图形用于对半导体衬底上的器件图形结构进行修整；

所述第二掩模版还包括位于所述遮光层内的辅助图形，所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率；所述辅助图形用于在半导体衬底上形成或者去除非器件图形；

其中，所述主图形包括开口，所述辅助图形包括副栅极去除开口、伪栅去除开口或非可印亚衍射散射槽。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩模版的透光率为50％～90％。

5.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一器件图形结构包括栅极条和副栅极条；所述副栅极去除开口正对所述副栅极条，所述副栅极去除开口用于去除所述副栅极条。

6.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一器件图形结构包括伪栅极；所述伪栅去除开口正对所述伪栅极，所述伪栅去除开口用于去除所述伪栅极。

7.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极条为静态随机储存器存储单元的栅极条，所述主图形正对至少部分所述栅极条，所述主图形用于分割所述栅极条成为栅极。