[发明专利]一种MEMS自对准高低梳齿及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，包括活动梳齿，固定梳齿和一端固定在衬底上而另一端与活动梳齿或者固定梳齿连接的抬升结构，所述抬升结构由至少一段弯曲梁和至少一段直梁组成，所述弯曲梁与所述直梁一起构成至少一个折弯的折叠梁结构，所述弯曲梁使所述折叠梁结构在垂直方向产生位移，从而带动与其连接的活动梳齿/固定梳齿与固定梳齿/活动梳齿处于不同平面，形成高低梳齿。

2.根据权利要求1所述的MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，所述抬升结构中至少一个弯曲梁位于所述折弯之前，且至少一个弯曲梁位于所述折弯之后。

3.根据权利要求1所述的MEMS的自对准高低梳齿，其特征在于，所述抬升结构由均匀连续的第一层材料、覆盖在第一层材料上的非连续、分段的第二层材料构成，所述直梁由第一层材料单独构成，所述弯曲梁由第一层材料及其覆盖的第二层材料构成。

4.根据权利要求3所述的MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，第一层材料是单晶硅或多晶硅。

5.根据权利要求3所述的MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，第二层材料是单层薄膜或多层薄膜。

6.根据权利要求5所述的MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，第二层材料是一层或多层金属薄膜。

7.根据权利要求5所述的MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，第二层材料是一层或多层非金属薄膜。

8.根据权利要求5所述的MEMS自对准高低梳齿，其特征在于，第二层材料是一种复合薄膜，含有至少一层金属薄膜和一层非金属薄膜。

9.权利要求4所述MEMS自对准高低梳齿的制造方法，采用SOI衬底，其特征在于包括如下步骤：    

a，在SOI正面单晶硅器件层上淀积薄膜层，图形化薄膜层形成抬升结构的第二层材料，所述第二层材料为薄膜层；

b，对SOI背面进行深硅刻蚀，形成背腔；

c，刻蚀SOI正面单晶硅器件层形成梳齿以及抬升结构的第一层材料；

d，薄膜层中的内应力使折叠梁结构的局部发生弯曲，局部弯曲后的折叠梁结构组成的抬升结构带动与其连接的固定梳齿/活动梳齿在垂直方向上移动，从而形成自对准梳齿。

10.根据权利要求9所述MEMS自对准高低梳齿的制造方法，其特征在于，控制薄膜层生长工艺中的气压长、温度、淀积速率以控制薄膜层的应力。