[发明专利]发光二极管装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管装置，特别是涉及一种具有用于提高发光效率、基板反射率和芯片排列密度的结构配置的发光二极管装置。

背景技术

以往的发光二极管(LED)装置一般包括一通过利用硅树脂封装一基板所形成的封装结构，在该基板上形成有体积小且重量轻的LED芯片及一电路图形。随着LED装置发光效率的增加，在一段时间后，硅树脂会因为从LED装置在高功率密度下运作所发出的光及热的增加而老化或破裂，且含银电路图形的硫化风险被提高。此外，如果LED装置包括一个易碎的陶瓷基板，该陶瓷基板很容易破裂。

因此，在本领域中仍然需要有一种LED装置，其具有增加LED芯片的数量、改善陶瓷基板的反射率及降低封装树脂破裂的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少前述先前技术的缺点的发光二极管装置。

本发明发光二极管装置，包含：一基板、一LED芯片单元、一电路图形、一打线单元、一玻璃层、一坝体结构及一封装体。该基板具有一中央部。该LED芯片单元形成于所述基板之所述中央部。该电路图形具有形成于所述基板上之一正电极及一负电极，所述正电极及所述负电极的每一个包括一沿所述中央部围绕的圆弧部及至少一朝向所述中央部延伸且连接所述圆弧部的延伸部，所述正电极的所述延伸部是相对于所述负电极的所述延伸部。该打线单元连接所述LED芯片单元至所述正电极及所述负电极的所述延伸部。该玻璃层设置于所述基板，覆盖所述正电极及所述负电极的所述圆弧部，并包括一对齐所述基板之所述中央部的开口单元。该坝体结构形成于所述玻璃层上并沿所述正电极及所述负电极的所述圆弧部设置。该封装体实质上设置于所述坝体结构内以覆盖所述正电极及所述负电极的所述延伸部、所述LED芯片单元及所述打线单元。

本发明所述的发光二极管装置，所述基板是一具有表面粗糙度(Rz)介于0.5至1μm、在25℃导热系数介于15至24W/mk及厚度介于0.8至1.2mm的陶瓷基板。

本发明所述的发光二极管装置，所述陶瓷基板包括一以氧化铝为基础的材料与锆(Zr)、钙(Ca)、钡(Ba)及镁(Mg)中至少一种的混合。

本发明所述的发光二极管装置，所述基板具有在400nm至450nm的波长范围中不小于97％的反射率。

本发明所述的发光二极管装置，所述基板具有不大于零且以下列公式决定之视孔隙度PA：

PA(％)＝[(Ww－Wd)/(Ww－Ws)]×100％；

其中，

Wd代表所述基板在干燥时的重量；

Ws代表所述基板被悬吊在水中时的重量；及

Ww代表所述基板从水中取出时的重量。

本发明所述的发光二极管装置，所述玻璃层具有一部位覆盖在所述电路图形的所述正电极及负电极的圆弧部上，该部位具有大于150μm的宽度及大于10μm的厚度。

本发明所述的发光二极管装置，在所述基板的一周边边缘及所述玻璃层的一周边边缘间的一距离为200μm。

本发明所述的发光二极管装置，所述电路图形的所述延伸部具有一被所述打线单元连接的曲面，在所述曲面的一最高点及所述基板的一顶面间的一距离是大于11μm，在所述曲面的一最低点及所述基板的所述顶面的一距离是大于7μm，被定义为最高点及最低点之间的距离的表面粗糙度(Rz)大于4μm。

所述正电极及负电极的所述延伸部中的每一个所述曲面都具有形成在最低点的打线接合次部及一形成在最高点且由所述打线接合次部朝远离所述圆弧部方向延伸的周边次部，所述周边次部具有一大于5度的倾斜角，及一在其方向上大于70μm的延伸长度。

所述LED芯片单元具有多个LED芯片，所述封装体是由含有荧光粉的无苯环硅树脂制成，且具有一小于1.5的折射率(n)、一热膨胀系数范围在266至323×10^-6/℃及一当所述LED芯片中最大温差大于20度时伸长率大于80％的其中一特性。

本发明的有益效果在于：通过上述结构排列，本发明提供的该LED装置能够安装LED芯片的数量增加，且具有改善陶瓷基板的反射率及在高发光效率及高功率密度的要求下，降低封装树脂破裂的风险。

附图说明

图1是一示意图，说明本发明LED装置的一实施例；

图2是一俯视图，说明该实施例的该LED装置的第一种LED芯片单元的排列方式；

图3是一立体分解示意图，说明如图2所示之该实施例的该LED装置；