[发明专利]发光二极管装置

权利要求书

1.一种发光二极管装置，包含一具有一中央部的基板，及一形成于所述基板之所述中央部的LED芯片单元；其特征在于，该装置还包含：

一电路图形，具有形成于所述基板上之一正电极及一负电极，所述正电极及所述负电极的每一个包括一沿所述中央部环绕的圆弧部及至少一朝向所述中央部延伸且连接所述圆弧部的延伸部，所述正电极的所述延伸部是相对于所述负电极的所述延伸部；

一打线单元，连接所述LED芯片单元至所述正电极及所述负电极的所述延伸部；

一玻璃层，设置于所述基板，覆盖所述正电极及所述负电极的所述圆弧部，并包括一对齐所述基板之所述中央部的开口单元；

一坝体结构，形成于所述玻璃层上并沿所述正电极及所述负电极的所述圆弧部设置；及

一封装体，实质上设置于所述坝体结构内以覆盖所述正电极及所述负电极的所述延伸部、所述LED芯片单元及所述打线单元。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述基板是一具有表面粗糙度(Rz)介于0.5至1μm、在25℃导热系数介于15至24W/mk及厚度介于0.8至1.2mm的陶瓷基板。

3.如权利要求2所述的发光二极管装置，其特征在于：所述陶瓷基板包括一以氧化铝为基础的材料与锆(Zr)、钙(Ca)、钡(Ba)及镁(Mg)中至少一种的混合。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述基板具有在400nm至450nm的波长范围中不小于97％的反射率。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述基板具有不大于零且以下列公式决定之视孔隙度PA：

PA(％)＝[(Ww－Wd)/(Ww－Ws)]×100％；

其中，

Wd代表所述基板在干燥时的重量；

Ws代表所述基板被悬吊在水中时的重量；及

Ww代表所述基板从水中取出时的重量。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述玻璃层具有一部位覆盖在所述电路图形的所述正电极及负电极的圆弧部上，该部位具有大于150μm的宽度及大于10μm的厚度。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：在所述基板的一周边边缘及所述玻璃层的一周边边缘间的一距离为200μm。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述电路图形的所述延伸部具有一被所述打线单元连接的曲面，在所述曲面的一最高点及所述基板的一顶面间的一距离是大于11μm，在所述曲面的一最低点及所述基板的所述顶面的一距离是大于7μm，被定义为最高点及最低点之间的距离的表面粗糙度(Rz)大于4μm。

9.如权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于：所述正电极及负电极的所述延伸部中的每一个所述曲面都具有形成在最低点的打线接合次部及一形成在最高点且由所述打线接合次部朝远离所述圆弧部方向延伸的周边次部，所述周边次部具有一大于5度的倾斜角，及一在其方向上大于70μm的延伸长度。

10.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：所述LED芯片单元具有多个LED芯片，所述封装体是由含有荧光粉的无苯环硅树脂制成，且具有一小于1.5的折射率(n)、一热膨胀系数范围在266至323×10^-6/℃及一当所述LED芯片中最大温差大于20度时伸长率大于80％的其中一特性。