[发明专利]固体摄像装置以及摄像系统在审
| 申请号: | 201410562096.0 | 申请日: | 2014-10-21 |
| 公开(公告)号: | CN104681569A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
| 发明(设计)人: | 永田一博;佐藤二尚;岩田胜雄;小笠原隆行 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/359 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐冰冰;黄剑锋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 以及 系统 | ||
1.一种固体摄像装置,其中,
所述固体摄像装置具备多个像素呈二维排列的摄像区域,
所述多个像素具有:配置于所述摄像区域的中心附近的第一像素、以及配置于比所述第一像素远离所述摄像区域的中心的位置的第二像素,
所述第一像素具有在俯视下为大致圆形的第一微透镜,
所述第二像素具有在俯视下为大致椭圆形且面积比所述第一微透镜大的第二微透镜。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述摄像区域为矩形且具有第一边以及与所述第一边相邻接的第二边,
所述第二像素在沿着所述第二边的方向上配置在比所述第一像素更靠近所述第一边的位置,
所述第二微透镜为在沿着所述第二边的方向上延伸的大致椭圆形。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述第二微透镜的长径比所述第一微透镜的直径大。
4.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述多个像素还具有位于所述第一像素以及所述第二像素之间的第三像素,
所述第三像素具有在俯视下为大致椭圆形、比所述第一微透镜面积大且比所述第二微透镜面积小的第三微透镜。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其中,
所述第二微透镜为在沿着所述第二边的方向上延伸的大致椭圆形。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其中,
所述第三微透镜的长径比所述第一微透镜的直径大且比所述第二微透镜的长径小。
7.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
在所述多个像素中的位于从所述摄像区域的中心起在沿着所述第二边的方向上延伸的直线上的多个像素中,随着远离所述摄像区域的中心,微透镜的长径变大。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其中,
在所述多个像素中的位于从所述摄像区域的中心起在沿着所述第二边的方向上延伸的直线上的多个像素中,随着远离所述摄像区域的中心,微透镜的面积变大。
9.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述多个像素还具有在沿着所述第一边的方向上配置在比所述第一像素靠近所述第二边的位置上的第四像素,
所述第四像素具有在俯视下为大致椭圆形且面积比所述第一微透镜大的第四微透镜,
所述第四微透镜为在沿着所述第一边的方向上延伸的大致椭圆形。
10.根据权利要求9所述的固体摄像装置,其中,
所述第四微透镜的长径比所述第一微透镜的直径大。
11.根据权利要求9所述的固体摄像装置,其中,
所述多个像素还具有位于所述第一像素以及所述第四像素之间的第五像素,
所述第五像素具有在俯视下为大致椭圆形、比所述第一微透镜面积大且比所述第四微透镜面积小的第五微透镜。
12.根据权利要求11所述的固体摄像装置,其中,
所述第五微透镜为在沿着所述第一边的方向上延伸的大致椭圆形。
13.根据权利要求12所述的固体摄像装置,其中,
所述第五微透镜的长径比所述第一微透镜的直径大且比所述第四微透镜的长径小。
14.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
在所述多个像素中的位于从所述摄像区域的中心起在沿着所述第一边的方向上延伸的直线上的多个像素中,随着远离所述摄像区域的中心,微透镜的长径变大。
15.根据权利要求14所述的固体摄像装置,其中,
在所述多个像素中的位于从所述摄像区域的中心起在沿着所述第一边的方向上延伸的直线上的多个像素中,随着远离所述摄像区域的中心,微透镜的面积变大。
16.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
所述摄像区域还具有所述第一边以及所述第二边交叉的第一角,
所述多个像素还具有配置在比所述第一像素靠近所述第一角的位置上的第六像素,
所述第六像素具有在俯视下为大致圆形且面积比所述第一微透镜大的第六微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





