[发明专利]一种等离子体加工设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工设备领域，尤其涉及一种等离子体加工设备。

背景技术

等离子体加工设备借助其腔体内部的等离子体对待加工器件进行加工处理。在等离子体加工过程中，地磁等外部磁场会对等离子体加工设备内部的等离子体产生干扰。为了提高等离子体加工设备加工的一致性，需要消除地磁等外部磁场对腔体内部的等离子体的干扰。

目前，为了消除地磁等外部磁场对等离子体加工设备腔体内部的等离子体的干扰，现有技术中通常采用在等离子体加工设备的外部覆盖高磁导率金属板的方式实现对腔体内部等离子体的磁屏蔽。

采用在等离子加工设备外部覆盖高磁导率金属板的方式实现对腔体内部等离子体的磁屏蔽存在如下缺点：

1、采用高磁导率金属板屏蔽的方式，在直角转弯、大曲率过度、小孔、小槽等区域，由于受金属板厚度和折弯强度限制，很难实现金属板屏蔽处理，导致磁屏蔽层不连续，容易在这些区域造成磁场泄露，影响磁屏蔽效果。

2、采用高磁导率金属板屏蔽,为了实现金属板之间磁感线连续，一般使用金属板拼接、黏贴等方式安装在刻蚀机腔体外部，拼接零件多，安装过程复杂，影响生产效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种等离子体加工设备，以采用比较简便的方法屏蔽外部磁场对等离子体加工设备腔体内部的等离子体的干扰。

为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：

一种等离子体加工设备，包括腔体，在所述腔体的内表面和/或所述腔体的外表面上涂覆有连续的高磁导率材料涂层，以屏蔽外部磁场对等离子体加工设备内部的等离子体的干扰，其中，所述高磁导率材料涂层的磁导率大于3000*10^-6H/m。

可选地，所述高磁导率材料涂层的磁导率大于5000*10^-6H/m。

可选地，所述高磁导率材料涂层的厚度在0.005～2mm之间。

可选地，所述高磁导率材料涂层采用热喷涂、蒸镀或电镀的方法涂覆。

可选地，所述等离子体加工设备还包括设置在所述腔体内部的防护罩，所述防护罩用于等离子体与腔体之间的隔离。

可选地，在所述防护罩的内表面和/或所述防护罩的外表面上涂覆有连续的高磁导率材料涂层。

可选地，在所述腔体的内表面上的高磁导率材料涂层的表面上设置有抗腐蚀材料涂层。

可选地，在所述腔体的内表面上的高磁导率材料涂层的表面上设置有抗腐蚀材料涂层；

和/或，在所述防护罩的内表面上的高磁导率材料涂层的表面上设置有抗腐蚀材料涂层；

和或，在所述防护罩的外表面上的高磁导率材料涂层的表面上设置有抗腐蚀材料涂层。

一种等离子体加工设备，包括腔体和设置在所述腔体内部的防护罩，所述防护罩用于等离子体与腔体之间的隔离，在所述腔体的内表面上，和/或，所述腔体的外表面上，和/或，在所述防护罩的内表面上，和/或，在所述防护罩的外表面上涂覆有连续的高磁导率材料涂层，以屏蔽外部磁场对等离子体加工设备内部的等离子体的干扰，其中，所述高磁导率材料涂层的磁导率大于3000*10^-6H/m。

可选地，所述高磁导率材料涂层的磁导率大于5000*10^-6H/m。

可选地，所述高磁导率材料涂层的厚度在0.005～2mm之间。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明提供的等离子体加工设备，其腔体的内表面和/或腔体的外表面上涂覆有连续的高磁导率材料涂层。地磁等外部磁场在穿过等离子体加工设备时会发生偏转，大部分外部磁场从高磁导率材料涂层及其附近区域通过等离子加工设备，仅有很少一部分外部磁场穿过腔体内的等离子体。这种外部磁场穿过等离子体加工设备的方式，不会对等离子体腔体内部的等离子体产生干扰。

本发明提供的等离子体加工设备中，涂覆在腔体内表面和/或外表面上的高磁导率材料涂层不受材料涂层厚度和折弯强度的限制，可以实现无缝接合，实现较好的屏蔽效果。

进一步地，本发明直接在腔体的内表面和/或外表面上形成连续的高磁导率材料涂层，免去了现有技术中采用的金属板拼接黏贴等繁琐流程，提高了生产效率。

附图说明

为了清楚地理解本发明的技术方案，下面结合附图对描述本发明的具体实施方式时用到的附图做一简要说明。显而易见地，这些附图仅是本发明实施例的部分附图，本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以获得其它的附图。