[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201410553299.3 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104409346A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陆小勇;刘政;孙亮;李小龙;龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
S1:在衬底基板上依次形成有源层、栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层；
S2:形成第一金属薄膜层；
S3:对所述有源层和栅极绝缘层进行氢化处理；
S4:形成第二金属薄膜层，所述第二金属薄膜层用于形成源漏极的图形。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S1中形成有源层包括：
在所述衬底基板上形成非晶硅薄膜；
对所述非晶硅薄膜进行晶化处理形成多晶硅薄膜；
对所述多晶硅薄膜图案化形成有源层。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，步骤S2之前还包括：在所述有源层的源漏区域上方形成过孔，以使在步骤S2中第一金属薄膜层与所述有源层在所述源漏区域相接触；
步骤S2之后还包括：进行第一热处理以使所述第一金属薄膜层与所述有源层在相接触的区域发生反应生成金属硅化物。
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，步骤S3之后还包括：
去除所述第一金属薄膜层中所述相接触区域之外的金属薄膜材料。
5.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，步骤S3之后还包括：对所述生成的金属硅化物进行第二热处理。
6.根据权利要求1～5任一所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氢化处理的温度为250～500摄氏度，时间为0.5～3小时。
7.根据权利要求1～5任一所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属薄膜层的材料为钨、钛、钴、镍中的一种或多种。
8.一种如权利要求1～7中任一项所述方法制作的低温多晶硅薄膜晶体管。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8所述的低温多晶硅薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
