[发明专利]一种COA基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201410542924.4 | 申请日: | 2014-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN104319277A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
| 发明(设计)人: | 熊源 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 coa 及其 制作方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及液晶显示器技术领域,特别是涉及一种COA基板及其制作方法。
【背景技术】
COA(Color Filter on Array)基板是在阵列基板上制作彩色滤色膜,由于解决了液晶显示器对位要求高的问题,同时提高了开口率,成为液晶显示领域主要的研究方向之一。现有的COA基板是在基板上依次形成薄膜场效应晶体管,色阻层,像素电极,由于需要在薄膜场效应晶体管的漏极与彩色层之间需要设置一层钝化层,从而使得COA基板的制程变得复杂,同时增加生产成本。同时现有的COA基板由于扫描线和数据线的距离比较小,还存在数据线和扫描线在交叉区域容易产生电容耦合效应的问题,因此必须压缩交叉区域的线宽以避免电容耦合效应的产生。
因此,有必要提供一种COA基板及其制作方法,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种COA基板及其制作方法,以解决现有技术需要多制作一层钝化层,增加生产成本的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明构造了一种COA基板的制作方法,包括以下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一金属层,对所述第一金属层进行图形化处理形成栅极;
在所述栅极及未被所述栅极覆盖的衬底基板上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成色阻层;
在所述色阻层上形成有源层;
在所述有源层上以及未被所述有源层覆盖的色阻层上形成第二金属层,对所述第二金属层进行图形化处理形成漏极和源极;
在所述第二金属层上形成钝化层;
在所述钝化层上形成连接所述第二金属层的过孔;以及
在所述钝化层上形成透明导电层。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述在所述栅绝缘层上形成色阻层的步骤包括:
在整个所述栅绝缘层上形成所述色阻层;
将与所述栅极相对位置处的色阻层刻蚀掉,以使所述栅极相对位置处的栅绝缘层暴露。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述在所述色阻层上形成有源层步骤包括:
在所述暴露的栅绝缘层上形成所述有源层。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述制作方法还包括步骤:
使用掩模板对所述第二金属层进行图形化处理,以在所述第二金属层上形成第一公共电极。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述方法还包括步骤:
所述掩模板具有第一图案,所述透明导电层上具有多个畴,其中所述第一图案与设定区域的形状一致,所述设定区域为所述透明导电层上的畴与畴交界处的暗纹形成的区域,所述设定区域在所述第二金属层上的投影对应所述第一公共电极的区域。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述方法还包括步骤:
对所述第一金属层进行图形化处理,以形成第二公共电极。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述第一公共电极和所述第二公共电极连接同一公共线。
在本发明的COA基板的制作方法中,所述透明导电层包括像素电极,所述像素电极与所述第一公共电极之间形成存储电容。
本发明的另一个目的在于提供一种COA基板,其包括:
衬底基板;
第一金属层,位于所述衬底基板上,包括薄膜场效应晶体管的栅极区;
栅极绝缘层,部分位于所述第一金属层上,用于隔离所述第一金属层和色阻层;
所述色阻层,位于所述栅绝缘层上,用于形成色阻;
有源层,部分位于所述色阻层上,用于形成沟道;
第二金属层,位于所述有源层上,包括薄膜场效应晶体管的漏极区和源极区;
钝化层,位于所述第二金属层上,所述钝化层上形成有连接所述第二金属层的过孔;以及
透明导电层,位于所述钝化层上。
在本发明的COA基板中,所述栅绝缘层包括第一区域,所述色阻层位于所述栅绝缘层的第一区域以外的区域的上方,所述有源层位于所述第一区域的上方;其中所述第一区域为所述栅绝缘层上与所述栅极相对位置处的区域。
本发明的COA基板及其制作方法,通过在第二金属层之前制作色阻层,较现有技术节省了一层钝化层,从而降低生产成本。
【附图说明】
图1为现有技术的COA基板的结构示意图;
图2为本发明的COA基板的制作方法流程图;
图3为本发明的COA基板的结构示意图。
【具体实施方式】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





