[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

通常，在显示器件的生产中，薄膜晶体管(Thin-film Transistor，TFT)起到具有十分重要的作用，主要利用薄膜晶体管的开态对显示器件的像素电容快速充电，利用薄膜晶体管的关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。薄膜晶体管由于具有非常高的开态电流(Ion)和关态电流(Ioff)之比和陡峭的转移特性，因而作为非线性开关元件被广泛地应用于大面积液晶显示器以及接触型图像传感器等领域。

目前常规底栅反堆栈型非晶硅薄膜晶体管的具体结构如图1所示，包括：衬底基板01，以及设置在衬底基板01上的栅极02、设置在栅极02上且与栅极02绝缘的有源层03、相对而置且分别与有源层03电性连接的源极04和漏极05，当通过安装在衬底基板01中的电路将电流施加到栅极02时，加载到源极04的电流通过有源层03传输到漏极05，驱动显示器件的像素单元，从而显示图像。栅极02与有源层03之间设置有栅绝缘层06，在源极04和漏极05之上设置有钝化层07，其中，栅绝缘层06通常采用a-SiNx薄膜，有源层03通常采用a-Si:H薄膜，钝化层07通常采用a-SiNx薄膜，栅极02、源极04和漏极05通常采用金属铬材料。为了改善源极04、漏极05与a-Si:H薄膜的接触特性，在其间插入了薄的n+型a-Si:H薄膜作为欧姆接触层08。

作为薄膜晶体管有源层的a-Si:H薄膜是一种具有良好光敏性的材料，但是在背光光照条件下有源层自身的电阻阻值会发生改变，会使薄膜晶体管的关态电流上升2～3个数量级，这样会大大减小薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，严重地影响了液晶显示器的图像显示质量。

因此，如何在背光光照条件下，提高薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置，可以有效抑制关态电流的上升，提高开态电流和关态电流之比，从而提升薄膜晶体管的发光性能。

因此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的栅极、设置在所述栅极上且与所述栅极绝缘的有源层、相对而置且分别与所述有源层电性连接的源极和漏极；

所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层；其中，

所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极、漏极以及位于所述源极和漏极之间的间隙处的正投影，且覆盖所述栅极的正投影；

所述第二有源层位于所述源极和漏极之间的间隙处，且在衬底基板上的正投影位于所述栅极的正投影所在区域内。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第二有源层位于所述第一有源层的上方且与所述第一有源层相互连接。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：设置在所述第一有源层与所述源极之间以及设置在所述第一有源层和所述漏极之间的欧姆接触层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：设置在所述第二有源层上方且与所述第二有源层相互绝缘的遮光层；

所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二有源层的正投影。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第二有源层的厚度大于所述第一有源层的厚度。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第一有源层的厚度为60nm至100nm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述第一有源层和所述第二有源层的厚度之和为100nm至500nm。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括本发明实施例提供的上述薄膜晶体管。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。

本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述薄膜晶体管的制作方法，包括：

在衬底基板上形成栅极的图形；

在形成有所述栅极的衬底基板上形成第一有源层的图形；

在所述第一有源层上形成包括第二有源层、源极和漏极的图形。

本发明实施例的有益效果包括：