[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410537804.5 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105489605B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 曾以志;赵杰;邓浩;严琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/762;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体器件 衬垫层 衬底 富氧 半导体 电子装置 介电材料 栅极结构 可流动 制造 间隙填充能力 层间介电层 高温热退火 固化处理 间隙填充 退火处理 热预算 上循环 侧壁 沉积 空洞 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上形成富氧衬垫层，其中形成所述富氧衬垫层包括：在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上沉积初始衬垫层；回蚀刻所述初始衬垫层以去除位于所述栅极结构的顶角处的所述初始衬垫层的一部分以及清洗所述初始衬垫层以形成所述富氧衬垫层；
在所述富氧衬垫层上循环进行可流动的介电材料的沉积操作和固化处理操作，以形成层间介电层；以及
进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，回蚀刻所述初始衬垫层的厚度为3nm～5nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用SiCoNi干法刻蚀工艺回蚀刻所述初始衬垫层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用包括氨水、双氧水和去离子水的混合溶液或臭氧气体清洗所述初始衬垫层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述富氧衬垫层是采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺沉积的氧化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述富氧衬垫层的厚度为7nm～10nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理包括蒸气退火和干式退火这两者或其中一种。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为400℃、500℃或550℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用去离子水结合臭氧进行所述固化处理操作。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可流动的介电材料的沉积操作和固化处理操作循环3或4次。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在形成所述富氧衬垫层之前，在所述栅极结构的顶部和侧壁以及所述半导体衬底上形成接触孔蚀刻停止层。
12.一种采用权利要求1-11之一所述的方法制造的半导体器件。
13.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求12所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
