[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410524654.4 | 申请日： | 2014-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104362084B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 葛泳;刘玉成;朱涛;顾维杰 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 及其 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板的第一缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火，形成第一多晶硅膜层；
在所述第一多晶硅膜层上沉积第二缓冲层；
在所述第二缓冲层上沉积第二非晶硅层，对所述第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成第二多晶硅膜层。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述在基板的第一缓冲层沉积第一非晶硅层的步骤之前，还包括以下步骤：通过化学气相沉积法，在基板上沉积第一缓冲层。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层为氧化硅或氮化硅，或氧化硅和氮化硅的叠层材料。
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化硅和氮化硅的叠加材料中氧化硅的厚度为50-300纳米，氮化硅的厚度为30-100纳米。
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层和第二非晶硅层的厚度均为30-70纳米。
6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二缓冲层为氧化硅，所述氧化硅的厚度为50-300纳米。
7.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二缓冲层为氮化硅，或氧化硅和氮化硅的叠加材料。
8.一种低温多晶硅薄膜，其特征在于，由权利要求1-7任一项所述的低温多晶硅薄膜的制备方法制备而成。
9.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括权利要求8所述的低温多晶硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
