[发明专利]用以修整三维与非门闪存的控制晶体管的系统与方法

权利要求书

1.一种用于控制一存储器阵列的系统，包括一第一存储单元串行及一第二存储单元串行，该系统包括：

一控制晶体管群组，用于控制该第一存储单元串行及该第二存储单元串行，该控制晶体管群组包括：

一第一串行选择晶体管、一第一上接地选择晶体管、与一第一接地选择晶体管，各个该第一串行选择晶体管、该第一上接地选择晶体管、与该第一接地选择晶体管是可操作地连接于该第一存储单元串行；以及

一第二串行选择晶体管、一第二上接地选择晶体管、与一第二接地选择晶体管，各个该第二串行选择晶体管、该第二上接地选择晶体管、与该第二接地选择晶体管是可操作地连接于该第二存储单元串行，

其中该第一串行选择晶体管是可操作，以将该第一存储单元串行连接至一位线；且

其中该第二串行选择晶体管是可操作，以将该第二存储单元串行连接至该位线；以及

一控制器，该控制器是可操作，以修整该第一串行选择晶体管与该第二串行选择晶体管、该第一上接地选择晶体管与该第二上接地选择晶体管、及该第一接地选择晶体管与该第二接地选择晶体管，该控制晶体管群组中的多个控制晶体管是受到修整，从而改变这些控制晶体管的阈值电压，

其中该控制器更可操作，以在该第一上接地选择晶体管受到修整的一期间抑制该第二上接地选择晶体管的编程；

其中该控制器更可操作，以在该第一串行选择晶体管受到修整的一期间，抑制一第三串行选择晶体管的编程，该第三串行选择晶体管与该第一串行选择晶体管共享一页；

其中该控制器更可操作，以使用一开放回路编程技术，同时地修整该第一接地选择晶体管与该第二接地选择晶体管。

2.根据权利要求1所述的系统，其中该控制器更可操作，以通过断开该第二串行选择晶体管来抑制该第二上接地选择晶体管的编程，从而断开该第二存储单元串行及该第二上接地选择晶体管对于该位线的连接。

3.根据权利要求1所述的系统，其中该控制器更可操作，以使用增阶型脉冲编程来修整至少一晶体管，该至少一晶体管是选自由该第一串行选择晶体管与该第二串行选择晶体管及该第一上接地选择晶体管与该第二上接地选择晶体管所组成的族群。

4.一种修整一存储器阵列的控制晶体管的方法，该存储器阵列包括一第一存储单元串行，该第一存储单元串行是可操作地连接于一第一串行选择晶体管、一第一上接地选择晶体管、及一第一接地选择晶体管，该第一串行选择晶体管是可操作的，以将该第一存储单元串行连接至一位线，且该存储器阵列更包括一第二存储单元串行，该第二存储单元串行是可操作的，以连接至一第二串行选择晶体管、一第二上接地选择晶体管、及一第二接地选择晶体管，该第二串行选择晶体管是可操作的，以将该第二存储单元串行连接至该位线，且该方法包括：

修整该第一串行选择晶体管；

修整该第二串行选择晶体管；

修整该第一上接地选择晶体管；

修整该第二上接地选择晶体管；

修整该第一接地选择晶体管；

修整该第二接地选择晶体管；以及

在该第一上接地选择晶体管的修整期间抑制该第二上接地选择晶体管的编程，

其中各个该第一串行选择晶体管、该第二串行选择晶体管、该第一上接地选择晶体管、该第二上接地选择晶体管、该第一接地选择晶体管及该第二接地选择晶体管的修整，改变该第一串行选择晶体管、该第二串行选择晶体管、该第一上接地选择晶体管、该第二上接地选择晶体管、该第一接地选择晶体管及该第二接地选择晶体管的各自的阈值电压；

其中在该第一串行选择晶体管的修整的期间抑制一第三串行选择晶体管的编程，该第三串行选择晶体管与该第一串行选择晶体管共享一页；

其中该第一接地选择晶体管的修整是使用一开放回路编程技术，与该第二接地选择晶体管的修整同时进行。

5.根据权利要求4所述的方法，更包括：

通过断开该第二串行选择晶体管来抑制该第二上接地选择晶体管的编程，从而断开该第二存储单元串行对于该位线的连接。

6.根据权利要求4所述的方法，其中至少一晶体管是使用增阶型脉冲编程来受到修整，该至少一晶体管是选自由该第一串行选择晶体管与该第二串行选择晶体管及该第一上接地选择晶体管与该第二上接地选择晶体管所组成的族群。