[发明专利]发光器件及包括发光器件的发光器件封装件和照明系统

说明书

公开了一种能够提高发光效率的发光器件及包括发光器件的发光器件封装件和照明系统。发光器件包括衬底、以多个图案的形式设置在衬底上的第一缓冲层、在第一缓冲层的图案上的第一绝缘层、在第一绝缘层的图案上的第二缓冲层、在第二缓冲层的图案上的第二绝缘层、在第二缓冲层的图案和第二绝缘层的图案周围的第三缓冲层、以及在第三缓冲层上的发光结构。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年9月26日提交的韩国专利申请No.10-2013-00114275的优先权，通过引用将该申请并入本文。

技术领域

本发明涉及发光器件，并且更具体地涉及能够提高发光效率的发光器件和发光器件封装件。

背景技术

通常，发光器件(LED)包括具有将电能转换成光能的特性的p-n结二极管。p-n结二极管可以通过组合周期表的第III-V族元素来形成。通过调整化合物半导体的组成比例可以使发光器件呈现出各种颜色。

在将正向电压施加到LED的情况下，n层的电子与p层的空穴进行复合，使得可以释放出与导带和价带之间的能隙相对应的能量。该能量主要实现为热或光，而LED以光的形式发射能量。例如，氮化物半导体呈现出优良的热稳定性和宽带隙能量使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件的领域中引起关注。特别地，采用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件和UV发光器件已经被开发且广泛使用。

根据相关技术，氮化物半导体通过将N型第一半导体层、有源层和P型第二半导体层依次层叠在硅(Si)衬底上来形成。

然而，在硅衬底上生长GaN半导体层时，由于衬底和半导体层具有相互不同的晶体结构，所以当从界面分隔开的时候会产生晶格失配，或者由于热膨胀系数差异而生成应力。

晶体失配和热膨胀系数差异引起位错和裂纹，使得发光器件的电学性能和光学性能劣化。

发明内容

为了解决上述问题，本发明实施方式的一个目的是提供能够防止发光器件的电学性能和光学性能劣化的发光器件和发光器件封装件。

为了实现该目的，根据本发明实施方式，提供了一种发光器件，该发光器件包括衬底、以多个图案的形式设置在衬底上的第一缓冲层、在第一缓冲层上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的第二缓冲层、在第二缓冲层上的第二绝缘层、在第二缓冲层和第二绝缘层周围的第三缓冲层、在第三缓冲层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层。

根据实施方式，由于在衬底和发光结构之间形成有绝缘层，所以可以防止位错产生。

另外，根据该实施方式，Si和GaN之间的晶格失配减小，使得可以生长高效GaN膜。

附图说明

图1为示出根据实施方式的发光器件的截面图。

图2为示出根据实施方式的发光器件的一部分的截面图。

图3至图10为示出制造根据实施方式的发光器件的方法的截面图。

图11为示出根据实施方式的发光器件封装件的截面图。

图12至图14为示出包括根据实施方式的发光器件的照明系统的实施例的分解透视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对实施方式进行详细描述。

图1为示出根据实施方式的发光器件的截面图。图2为示出根据实施方式的发光器件的一部分的截面图。