[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浅沟槽隔离的制造方法。

背景技术

随着超大型集成电路尺寸微缩化的持续发展，电路元器件的尺寸越来越小且对其运行速度的要求越来越高，但直到目前为止，提高CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导)器件运行速度的方法都集中于减小其沟道长度以及栅介质层的厚度。然而，在小于100nm的沟道长度情况下，若器件尺寸进一步缩小就会受到物理极限以及设备成本的限制。随着集成电路工艺逐步进入40nm、32nm甚至是28nm时代，栅氧厚度和栅极长度的减小趋势都已经逐步放缓，微电子工业界开始寻找其它方式以继续提高CMOS器件性能。

目前，集成电路包括许多形成在半导体衬底上的晶体管，一般来说，晶体管是通过绝缘或隔离结构而彼此间隔开。现有技术中，用来形成隔离结构的工艺是浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，简称STI)工艺，传统的STI工艺通常包括以下简化步骤：首先，在硅衬底上热生长或淀积氮化硅层；接下来，通过光刻和刻蚀选择性去除该氮化硅层和硅衬底，在该硅衬底中形成浅沟槽；最后向浅沟槽里填充绝缘层二氧化硅。

在45nm/40nm及以下的高阶半导体制造工艺中，由于浅沟槽开口尺寸越来越小，有源区浅沟槽隔离填充工艺变得越来越难，陆续用到HARP，eHARP以及FCVD填充工艺，后续用热退火工艺使二氧化硅薄膜致密化，并消除沟槽内缝隙缺陷(seam)。

然而，由于上述工艺沉积的二氧化硅薄膜富含氧元素，在高温的热退火过程中会扩散氧化衬底硅，导致有源区尺寸缩小，如图1所示，这对器件性能、可靠性和良率都带来影响，而且随着工艺节点不断缩小越来越不可控。此外，即使采用高热预算的退火工艺，也不能完全消除缝隙缺陷。

申请号为201310753728.7的中国专利申请提供了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括用多晶硅填充浅沟槽后离子注入锗，并退火。该申请虽然可以提供沟道的应力，提高硅的载流子迁移率，但并不能解决二氧化硅填充浅沟槽后退火所导致氧原子扩散氧化衬底硅使有源区尺寸缩小的技术问题。

申请号为201010198373.6的中国专利申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，通过直接在需要制作浅沟槽隔离结构的位置处，对露出的单晶硅进行氧离子注入，并退火形成二氧化硅隔离区。该申请虽然流程简洁，不受浅沟槽宽度尺寸的限制，但对浅沟槽的尺寸和形貌无法准确把握，注入的氧离子也会在退火过程中扩散氧化衬底硅，从而影响器件性能、质量。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供一种浅沟槽隔离的制造方法，以解决有源区浅沟槽隔离填充工艺的缝隙缺陷问题以及后续的高温的热退火过程中扩散氧化衬底硅而导致有源区尺寸缩小的问题。

本发明提供的浅沟槽隔离的制造方法，其包括以下步骤：

步骤S01，在硅片的硅衬底中形成浅沟槽；

步骤S02，向该浅沟槽内填充氧化物；

步骤S03，对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域含有硅原子；

步骤S04，对该硅片进行热退火。

进一步地，步骤S03还包括对该浅沟槽进行硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物结构被打散。

进一步地，步骤S03为多次硅离子注入，以使得该浅沟槽内的填充氧化物区域充满硅原子。

进一步地，步骤S03中硅离子注入的注入深度为该浅沟槽深度的5-100％。

进一步地，步骤S03中硅离子注入的硅浓度为1E¹⁰cnt/cm²-1E¹⁶cnt/cm²。

进一步地，步骤S03中硅离子注入为常温离子注入、低温离子注入或高温离子注入。

进一步地，步骤S04中热退火为Spike退火、RTA退火、激光退火或高温炉管退火，热退火温度为600-1250℃。

进一步地，步骤S04中热退火包括第一步快速退火和第二步常规退火，该第一步快速退火中填充氧化物内的硅原子快速锁定退火所产生的氧原子并与之结合，该第二步常规退火中致密填充氧化物，以消除浅沟槽中缝隙缺陷。

进一步地，该第一步快速退火为RTA退火，退火时间为10-60秒；该第二步常规退火为高温炉管退火，退火时间为5-30分钟。