[发明专利]MEMS器件的形成方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：

分别提供第一晶圆、第二晶圆以及第三晶圆，所述第一晶圆用于形成MEMS器件的衬底，其正面具有MOS晶体管、金属互连结构以及第一沟槽；所述第二晶圆用于形成MEMS器件的盖层，其正面具有第二沟槽；

将第一晶圆与第二晶圆之一与第三晶圆的正面键合；

对键合后的第三晶圆进行切边、后进行减薄工序；

在所述减薄后的第三晶圆上至少制作可动电极；

在第一晶圆与第二晶圆中的另一个的正面粘贴第一支撑板，后进行背面减薄并在减薄面上制作对准标记，后在具有所述对准标记的减薄面上粘贴第二支撑板；

去除所述第一支撑板，利用所述对准标记将所述第一晶圆与第二晶圆中减薄的该个晶圆与所述第三晶圆键合形成晶圆堆叠结构，使得可动电极悬浮于所述第一沟槽与第二沟槽形成的空腔内；

去除所述第二支撑板，对具有对准标记的该个晶圆进行切割，后在被切割的晶圆的背面粘贴第三支撑板；

对第一晶圆与第二晶圆中未减薄的该个晶圆进行减薄，并在减薄面上贴切割用膜，去除所述第三支撑板，沿已切割的该个晶圆的切割道对所述晶圆堆叠结构进行切割形成MEMS器件。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一支撑板为玻璃基板，所述玻璃基板的尺寸与第一晶圆和第二晶圆的尺寸匹配。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一支撑板的粘贴采用紫外固化胶。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二支撑板为玻璃基板，所述玻璃基板的尺寸与第一晶圆和第二晶圆的尺寸匹配。

5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第三支撑板为UV膜。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的正面还形成有固定电极，在减薄后的第三晶圆上制作可动电极前，还在所述第三晶圆上制作第一穿硅通孔导电结构、第二穿硅通孔导电结构以及第三穿硅通孔导电结构，分别用于将固定电极、可动电极以及MOS晶体管的信号引出。

7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在减薄后的第三晶圆上还制作有若干焊垫，所述若干焊垫分别与所述固定电极、可动电极以及MOS晶体管电连接。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述若干焊垫分别位于所述第一穿硅通孔导电结构、第二穿硅通孔导电结构以及第三穿硅通孔导电结构上。

9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，具有对准标记的该个晶圆为第二晶圆。

10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述对准标记为凹槽，采用光刻、刻蚀法形成。

11.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还在所述减薄后的第三晶圆上制作第一凸起，粘贴第一支撑板前，还在未与第三晶圆键合的第一晶圆或第二晶圆上制作第二凸起，形成所述晶圆堆叠结构时，所述第一凸起与第二凸起键合形成用于可动电极悬浮的空腔。

12.根据权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一凸起与所述第二凸起中的一个的材质为铝，另一个材质为锗。