[发明专利]片式电子元件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410486133.4 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN105225802B 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 朴文秀;金珆暎;李东焕 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01F27/255 分类号: H01F27/255;H01F41/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 代理人: 金光军,刘奕晴
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种片式电子元件,该片式电子元件包括:

磁体;以及

埋于磁体内的内部线圈部件,

其中,所述磁体包括:

包括所述内部线圈部件的核心层;以及

位于核心层上部和下部的上覆盖层和下覆盖层,

通过使得所述核心层具有比所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个的装填系数大的装填系数,从而所述核心层具有的磁导率水平大于所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个的磁导率水平;

其中,所述核心层含有第一金属磁性微粒和具有平均粒径小于所述第一金属磁性微粒的第二金属磁性微粒;

其中,具有比所述核心层的磁导率水平小的磁导率水平的所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个仅含有平均粒径小于所述第一金属磁性微粒的平均粒径的第三金属磁性微粒。

2.根据权利要求1所述的片式电子元件,其中,所述核心层和所述上覆盖层或者下覆盖层的磁导率差值为10-40H·m。

3.根据权利要求1所述的片式电子元件,其中,所述第一金属磁性微粒的粒径为11-53μm并且所述第二金属磁性微粒的粒径为0.5-6μm,以及所述第三金属磁性微粒的粒径为0.5-6μm。

4.根据权利要求1所述的片式电子元件,其中,所述核心层中的金属磁性微粒的装填系数为70%-85%,以及所述上覆盖层或者下覆盖层的金属磁性微粒的装填系数为55%-70%。

5.根据权利要求1所述的片式电子元件,其中,所述核心层厚度是所述上覆盖层或者下覆盖层厚度的0.5-10倍。

6.一种制备包括埋有内部线圈部件的磁体的片式电子元件的方法,该方法包括:

通过使金属磁性微粒的装填系数不同制备具有不同磁导率的含金属磁性微粒的第一磁性片和第二磁性片;以及

通过堆叠所述第一磁性片和第二磁性片在所述内部线圈部件的上方和下方形成所述磁体,

其中,在形成所述磁体中,通过堆叠所述第一磁性片在内部线圈部件上方和下方形成核心层,以及通过堆叠所述第二磁性片在核心层的上部和下部形成上覆盖层或者下覆盖层;

其中,通过使得所述核心层具有比所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个的装填系数大的装填系数,从而所述核心层具有的磁导率水平大于所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个的磁导率水平,

其中,所述核心层含有第一金属磁性微粒和具有平均粒径小于所述第一金属磁性微粒的第二金属磁性微粒,并且

其中,具有比所述核心层的磁导率水平小的磁导率水平的所述上覆盖层和下覆盖层的至少一个仅含有平均粒径小于所述第一金属磁性微粒的平均粒径的第三金属磁性微粒。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一金属磁性微粒的粒径为11-53μm并且所述第二金属磁性微粒的粒径为0.5-6μm,以及所述第三金属磁性微粒的粒径为0.5-6μm。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一磁性片和第二磁性片被堆叠以致所述核心层厚度是所述上覆盖层或者下覆盖层厚度的0.5-10倍。

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