[发明专利]一种芯片尺寸白光LED的封装结构及方法

权利要求书

1.一种芯片尺寸白光LED的封装结构，所述封装结构包括裸芯片和荧光粉包覆层，其中，所述封装结构的面积略大于所述裸芯片的面积，所述裸芯片采用倒装的形式封装在散热基板上，省去了LED支架和金线；所述封装结构通过减少热传导界面增强了散热性能，并由此使得白光反光面接近芯片表面尺寸，进而使得光密度大。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述封装结构的面积小于所述裸芯片面积的1.5倍。

3.一种如权利要求1所述的芯片尺寸白光LED的封装结构的制造方法，该方法包括如下步骤：

1).基板准备：将可改变粘性的膜片贴在临时基板的功能区上，膜两面均带有粘性，一面贴合基板、一面贴合芯片；

2).芯片固定：将倒装结构芯片阵列排布在临时基板上，基板带有CCD可识别标示，由于倒装芯片P/N结设计，无需金线焊接；

3).反射胶填充：在芯片四周填充上高反射硅胶，使硅胶与芯片表面水平，然后烘烤固化，最终形成一面发光型芯片尺寸封装结构；

4).上模：将临时基板放入模具中；

5).注胶：将配好比例的荧光粉和硅胶混合体注入模具；

6).合模：将注有荧光粉的模具和载有倒装芯片的基板合模，使荧光粉和硅胶均匀分布于芯片四周，厚度可调；

7).离模：烘烤定型后，将临时基板取出；

8).切割：根据阵列的倒装芯片排布进行切割；

9).剥离：采用UV方式或加热的方式将膜片两面的粘性降低，然后再分成单颗；

10).分光分色，测试包装。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述可改变粘性的膜片包括热剥离膜、UV膜。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，高反射硅胶反射率达98％以上，其主要成分为TiO₂或者BaSO₄。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，如果希望制作五面发光型CSP，可省去步骤3)。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述膜片两面的粘性可降低到0.03N/20mm。