[发明专利]用于测试电导体的装置和方法

权利要求书

1.一种用于测试电导体的测试设备，包括：

探头，被配置为当向半导体器件施加电压时测量流经所述半导体器件的至少两个焊线的电流引起的磁场，其中所述至少两个焊线以平行连接被布置；以及

控制单元，被配置为判定所述至少两个焊线中的一个或多个是否在电学上有缺陷，其中所述判定依赖于所测量的磁场。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述测试设备被配置为同时测试多于一个半导体器件。

3.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：

定位台部，被配置为将所述探头布置在所述半导体器件的所述焊线之上的预定义位置。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述探头包括一个或多个巨磁电阻元件。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制单元被配置为在所述半导体器件包括一个或多个有缺陷的焊线时生成输出数据，并且在所述半导体器件不包括有缺陷的导体时生成不同的输出数据。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制单元被配置为在所述半导体器件包括特定的有缺陷的焊线时生成输出数据，并且从其中所述特定的焊线没有缺陷的半导体器件生成不同的数据输出。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述探头包括单轴磁场传感器。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述探头包括三轴磁场传感器。

9.一种测试焊线的方法，所述方法包括：

提供半导体器件，所述半导体器件包括至少两个焊线，其中所述至少两个焊线被平行布置；

提供测试设备，所述测试设备包括被配置为测量由所述至少两个焊线中的电流引起的第一磁场的第一探头；

向所述半导体器件施加电压使得电流可以流过所述至少两个焊线；

测量所述第一磁场；以及

判定所述至少两个焊线中的一个或多个是否在电学上有缺陷。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

提供参考器件，所述参考器件包括至少两个焊线，其中所述至少两个焊线以平行连接被布置；

提供被配置为测量由所述一个或多个第二焊线中的电流引起的第二磁场的第二探头；

向所述半导体器件施加电压使得电流可以流过所述至少两个焊线；

测量由所述一个或多个第二焊线中的所述电流引起的第二磁场；以及

通过从所述第一磁场的测量数据中减去所述第二磁场的测量数据来生成数据输出。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

比较所述数据输出与一些参考数据；以及

基于所述比较判定所述半导体器件是否满足特定准则。

12.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

在所述测试设备中产生数据输出，其中所述数据输出依赖于所测量的磁场；以及

比较所述输出与一些参考数据。

13.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在所述测试设备中从包括一个或多个有缺陷的导体的半导体器件生成数据输出，并且从不包括有缺陷的导体的半导体器件生成不同的数据输出。

14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括在所述测试设备中从包括特定的有缺陷的焊线的半导体器件生成数据输出，并且从其中所述特定的焊线没有缺陷的半导体器件生成不同的数据输出。

15.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

比较在所述半导体器件之上的不同点处测量的所述磁场。